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• W2023503653 abstract "The temperature dependence of the thermoelectric power (TEP) and the corresponding resistivity of evaporated amorphous (a-)Ge films is studied in the temperature range 140 to 500 K as a function of such deposition parameters as technique of deposition, nature and temperature of the substrate, rate and angle of deposition, and the presence of ambient gases. Also, the effect of ageing and annealing, oxidation, and impurities (Sb, AI, Fe, and Au) is studied. The characteristic behaviour of the TEP is a small (≈ 0.1 mV/K) negative value at low temperatures (below 300 K) followed by an inversion of the sign and a rapid rise with temperature above the inversion temperature. Whereas the low temperature behaviour of the TEP is not significantly affected, the inversion temperature and the high temperature behaviour are strongly modified by changes in the deposition parameters, post-deposition treatments, and by addition of impurities. In general, the sign, magnitude, and its temperature variation depend both on the impuritiy and its concentration. There is, however, no correlation of these effects with the electronic nature of the impurity. In contrast to the behaviour of the TEP, the dependence of the resistivity on deposition parameters and impurities is significantly smaller. The TEP can be understood in terms of hopping at the Fermi level and bipolar conduction in the extended states of an asymmetrical energy-band diagram whose tailing, extent of localization, and the shape of density-of-states curve (hence the position of Fermi level) depend sensitively on deposition parameters, post-deposition treatments, and impurities. Die Teniperaturabhängigkeit der Thermospannung (TEP) und der entsprechenden Leitfähigkeit von aufgedampften amorphen (a-)Ge-Schichten wird im Temperaturbereich von 140 bis 500 K in Abhängigkeit von solchen Aufdampfparametern wie Auf-dampftechnik, Natur und Temperatur des Substrates, Aufdampfrate und -winkel und Umgebungsatmosphäre untersucht. Der Einfluß von Alterung und Temperung, Oxidation und Störstellen (Sb, Al, Fe und Au) wird ebenfalls untersucht. Das charakteristische Verhalten der TEP zeigt einen geringen (≈ 0,1 mV/K) negativen Wert bei niedrigen Temperaturen (unterhalb 300 K), der von einer Vorzeichenumkehr und einem schnellen Anstieg mit. der Temperatur oberhalb der Inversionstemperatur gefolgt wird. Während das Niedertemperaturverhalten der TEP nicht wesentlich beeinflußt wird, werden Inversionstemperatur und Hochtemperaturverhalten stark modifiziert durch Änderungen der Aufdampfparameter, Nachbehandlung und Zufügung von Verunreinigungen. Im allgemeinen hängen Vorzeichen, Größe und Temperaturabhängigkeit sowohl von den Störstellen als auch von deren Konzentration ab. Es existiert jedoch keine Korrelation dieser Einflüsse mit der elektronischen Natur der Störstelle. Im Gegensatz zum Verhalten der TEP ist die Abhängigkeit der Leitfähigkeit von den Aufdampfparametern und den Störstellen beträchtlich kleiner. Die TEP läßt sich mit Hopping am Ferminiveau und bipolarer Leitfähigkeit in ausgedehnten Zuständen eines asymmetrischen Energieband-Diagramms erklären, dessen Ausläuferbildung, Lokalisierungsausmaß und Form der Zustandsdichtekurve (und damit die Lage des Ferminiveaus) empfindlich von den Aufdampfparametern, Nachbehandlung und Störstellen abhängen." @default.
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