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- W2024256465 abstract "A radiation-induced defect state in oxygen-rich Si:B exhibiting charge-dependent characteristics is studied by deep level transient spectroscopy (DLTS). A model invoking multistability is presented to account for most of the aspects of its behaviour. At temperatures larger than T = 120 K the defect displays bistable behaviour having two charge-state-controlled configurations. However, as the temperature decreases during the downwards DLTS scanning mode, the stable configuration is transformed to metastable ones at T < 120 K due to changes in both the formation free energy and the entropy of the various defect configurations. A rough configurational coordinate diagram is suggested in order to explain this behaviour. A microscopic description of the structure is also attempted. Ein strahlungsinduzierter Defektzustand in sauerstoffreichem Si:B mit ladungsabhängiger Charakteristik wird mittels DLTS untersucht. Ein Modell mit mehreren stabilen Zuständen wird vorgeschlagen, um die meisten Aspekte seines Verhaltens zu berücksichtigen. Oberhalb 120 K zeigt der Defekt Bistabilität mit zwei ladungszustandkontrollierten Konfigurationen. Indem in der nach unten gerichteten DLTS-Scanningmode die Temperatur abnimmt, wird die stabile Konfiguration infolge von Änderungen sowohl der freien Bildungsenthalpie als auch der Entropie der verschiedenen Defektkonfigurationen in metastabile umgewandelt. Ein Konfigurationskoordinatendiagramm zur Erklärung dieses Verhaltens wird vorgeschlagen. Ebenfalls wird eine mikroskopische Beschreibung der Struktur versucht." @default.
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