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- W2033509314 abstract "The effects of substrate relaxation and curvature on the stress levels and the introduction of misfit dislocations in epitaxial layers are considered. The stress distribution in single- and multi-layer epitaxial structures are calculated, employing elastic energy minimization. The results are found to differ significantly from those previously reported, the stress levels being up to 60% greater. These results are combined in a calculation of substrate curvatures and critical thicknesses for misfit dislocation introduction taking into account the substrate relaxation. It is shown that, under certain conditions, Substrate relaxation and misfit dislocation interaction with the epilayer stress both markedly impede the initial introduction of misfit dislocations into the interface. Die Einflüsse von Substratrelaxation und -Krümmung auf das Spannungsniveau und die Ein führung von Misfit-Versetzungen in Epitaxieschichten werden betrachtet. Die Spannungsvertei-lung in Ein- und Mehrschicht-Epitaxiestrukturen werden mittels Minimierung der elastischen Energie berechnet. Es wird gefunden, daß die Ergebnisse sich betrachtlich von früher veröffent-lichten unterscheiden, das Spannungsniveau ist bis zu 60% größer. Diese Ergebnisse werden bei einer Berechnung der Substratkrümmung und der kritischen Dicke für die Einführung von Misfit-versetzungen kombiniert, wobei Substratrelaxation berucksichtigt wird. Es wird gezeigt, daß unter gewissen Bedingungen sowohl Substratrelaxation als auch Misfit-Versetzungswechselwirkung mit der Epischichtspannung merklich die anfüngliche Einfuhrung von Misfitversetzungen in die Interface beeinflussen." @default.
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