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• W2036702725 abstract "An analysis is presented of bulk-modulation effects, caused by the carrier-dependent electric field in the bulk regions of junction diodes. The small-signal impedance of a bulk region is found to consist of three parts, a distributed series resistance Rbs, a bulk-modulation impedance Zm1 which is proportional to the junction impedance Zj, and another bulkmodulation impedance Zm2 which is negative at low frequencies. The combination Rbs + Zm2 = Zbs represents the ac series impedance, whereas Zm1 + Zj represents the “apparent” junction impedance. All impedances are expressed in the Green's function of the transport equation. The bulk modulation noise consists of several parts. Various equivalent circuits for the total noise, comprising thermal noise of Rbs, current noise of Rbs or Zm2, and (modified) junction noise, are proposed. Beside exact analytical results, more practical forms for the noise are given, suggested by detailed computer calculations. Finally we consider when the total output noise, SΔI(tot), is dominated by the original junction noise, SΔIj. In long diodes the current noise of the bulk region may enhance the noise by an order of magnitude. However, in such structures the ambipolar behavior will make room for double injection SCL flow beyond a certain injection level. Es wird eine Analyse der Volumen-Modulationseffekte angegeben, die durch das ladungsträgerabhängige, elektrische Feld im Volumenbereich von p-n Dioden verursacht werden. Es wird gefunden, daß die Kleinsignal-Impedanz des Volumenbereichs aus drei Teilen besteht, einem verteilten Serienwiderstand Rbs, einer Modulationsimpedanz Zm1, die proportional zur Sperrschichtimpedanz Zj ist, und einer anderen Modulationsimpedanz Zm2, die bei niedrigen Frequenzen negativ ist. Die Kombination Rbs + Zm2 = Zbs stellt die Wechselstromserienimpedanz dar, während Zm1 + Zj die scheinbare Sperrschichtimpedanz darstellt. Alle Impedanzen werden mit der Greenschen Funktion der Transportgleichung ausgedrückt. Das Volumenmodulationsrauschen besteht aus verschiedenen Teilen. Verschiedene Äquivalentschaltbilder für das Gesamtrauschen, die das thermische Rauschen von Rbs, Stromrauschen von Rbs oder Zm2 und (modifiziertes) Sperrschichtrauschen einschließen, werden vorgeschlagen. Neben exakten analytischen Ergebnissen werden praktischere Formen für das Rauschen angegeben, die durch detaillierte Computerrechnungen erhalten wurden. Schließlich wird der Fall betrachtet, wo das Gesamtausgangsrauschen SΔI(tot) durch das ursprüngliche Sperrschichtrauschen SΔIj im wesentlichen bestimmt wird. In langen Dioden kann das Stromrauschen des Volumenbereichs das Sperrschichtrauschen um eine Größenordnung erhöhen. In solchen Strukturen wird das ambipolare Verhalten den Doppelinjektions-(SCL)-Fluß jenseits eines gewissen Injektionsniveaus ermöglichen." @default.
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