FRINK Linked Data Fragments server

Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W2037005510> ?p ?o ?g. }

• W2037005510 endingPage "107" @default.
• W2037005510 startingPage "97" @default.
• W2037005510 abstract "Double injection theory in semi-insulators (semiconductors) containing deep acceptor impurities and a small density of shallow donors is extended to include the effects of gradients in the deep impurity density. The space-charge neutrality based solutions for the square-law region show strong dependence on the direction of injection with respect to the density gradient. The intersection point between the ohmic region and the square law region is shown to shift to lower voltages when hole injection takes place at the highly doped end of the π-type device. For electron injection at the acceptor-type trap rich end, a condition of single injection is approached and the double injection model does not hold. Experiments with semi-insulating silicon p+πn+ structures, where the π region contains a diffused gradient of indium as the deep acceptor, confirm the main conclusions of the theory. La théorie de double injection des semi-isolants (semiconducteurs) contenant des impuretés profondes d'accepteurs et une petite densité de donneurs peu profonds est étendue de façon à inclure les effets de gradients dans la densité d'impuretés profondes. La charge d'espace des solutions à base neutre dans la région à loi carrée démontre une forte dépendance sur la direction d'injection relative au gradient de densité. Le point d'intersection entre la région ohmique et la région à loi carrée est présenté comme se deplaçant vers les tensions plus basses quand l'injection des trous se produit du côté fortement dopé du dispositif de type π. Pour l'injection d'électrons au côté riche de la trappe du type accepteur, une condition d'injection simple est approchée et le modèle à double injection n'est plus valable. Des expériences avec des structures p+πn+ au silicium semi-isolant ou la région π contient un gradient d'indium diffusé comme accepteur profond, confirment les conclusions principales de la théorie. Die Theorie der zweifachen Injektion in Halbisolatoren (Halbleiter) mit tiefliegenden Akzeptor-Störstellen und einer geringen Dichte flacher Donatoren wird erweitert, um die Effekte zu erfassen, welche ein Dichtegradient der tiefliegenden Störstellen mit sich bringt. Die Lösungen für den quadratischen Bereich der Kennlinie weisen eine starke Abhängigkeit von der Injektionsrichtung bezüglich des Dichtegradienten auf. Der Schnittpunkt zwischen dem ohmschen und dem quadratischen Gebiet der Kennlinie verschiebt sich zu niedrigeren Spannungen, wenn die Löcherinjektion auf der hochdotierten Seite der π-Zone stattfindet. Bei Elektroneninjektion auf der akzeptor-reichen Seite nähert man sich einem Zustand einfacher Injektion und das Modell zweifacher Injektion verliert seine Gültigkeit. Experimente an halbisolierenden p+πn+ Strukturen in Silizium, deren π-Zone einen durch Diffusion entstandenen Dichtegradienten von In als tiefem Akzeptor enthält, bestätigen die wesentlichen Schlussfolgerungen der Theorie." @default.
• W2037005510 created "2016-06-24" @default.
• W2037005510 creator A5038518139 @default.
• W2037005510 creator A5063965807 @default.
• W2037005510 date "1967-02-01" @default.
• W2037005510 modified "2023-10-18" @default.
• W2037005510 title "Injected carrier flow in a semi-insulator containing a density gradient of a deep impurity" @default.
• W2037005510 cites W1974172880 @default.
• W2037005510 cites W1993243193 @default.
• W2037005510 cites W1995843849 @default.
• W2037005510 cites W2010833266 @default.
• W2037005510 cites W2043806677 @default.
• W2037005510 cites W2049804458 @default.
• W2037005510 cites W2052451788 @default.
• W2037005510 cites W2057353352 @default.
• W2037005510 cites W2065895062 @default.
• W2037005510 cites W2069918111 @default.
• W2037005510 doi "https://doi.org/10.1016/0038-1101(67)90026-3" @default.
• W2037005510 hasPublicationYear "1967" @default.
• W2037005510 type Work @default.
• W2037005510 sameAs 2037005510 @default.
• W2037005510 citedByCount "11" @default.
• W2037005510 countsByYear W20370055102016 @default.
• W2037005510 crossrefType "journal-article" @default.
• W2037005510 hasAuthorship W2037005510A5038518139 @default.
• W2037005510 hasAuthorship W2037005510A5063965807 @default.
• W2037005510 hasConcept C121332964 @default.
• W2037005510 hasConcept C131540310 @default.
• W2037005510 hasConcept C185592680 @default.
• W2037005510 hasConcept C192562407 @default.
• W2037005510 hasConcept C26873012 @default.
• W2037005510 hasConcept C2779892579 @default.
• W2037005510 hasConcept C62520636 @default.
• W2037005510 hasConcept C71987851 @default.
• W2037005510 hasConceptScore W2037005510C121332964 @default.
• W2037005510 hasConceptScore W2037005510C131540310 @default.
• W2037005510 hasConceptScore W2037005510C185592680 @default.
• W2037005510 hasConceptScore W2037005510C192562407 @default.
• W2037005510 hasConceptScore W2037005510C26873012 @default.
• W2037005510 hasConceptScore W2037005510C2779892579 @default.
• W2037005510 hasConceptScore W2037005510C62520636 @default.
• W2037005510 hasConceptScore W2037005510C71987851 @default.
• W2037005510 hasIssue "2" @default.
• W2037005510 hasLocation W20370055101 @default.
• W2037005510 hasOpenAccess W2037005510 @default.
• W2037005510 hasPrimaryLocation W20370055101 @default.
• W2037005510 hasRelatedWork W1989066156 @default.
• W2037005510 hasRelatedWork W1995614330 @default.
• W2037005510 hasRelatedWork W2043268419 @default.
• W2037005510 hasRelatedWork W2047627257 @default.
• W2037005510 hasRelatedWork W2062268074 @default.
• W2037005510 hasRelatedWork W2065425365 @default.
• W2037005510 hasRelatedWork W2068833989 @default.
• W2037005510 hasRelatedWork W2165370606 @default.
• W2037005510 hasRelatedWork W2899084033 @default.
• W2037005510 hasRelatedWork W2955782507 @default.
• W2037005510 hasVolume "10" @default.
• W2037005510 isParatext "false" @default.
• W2037005510 isRetracted "false" @default.
• W2037005510 magId "2037005510" @default.
• W2037005510 workType "article" @default.