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• W2040763986 abstract "Kinetics of thin oxide film growth on the (001) surface of single crystals of Fe-Si alloys in the concentration range 2.·5–12.·0wt.%Si at 400 °C and at oyxgen partial pressure 30 torr have been studied using two optical methods—ellipsometry and interference microscopy. With respect to the complex optical properties of oxide films, ellipsometry can determine the thickness of very thin films up to ~ 300Å. For thicker films, interference microscopy is suitable. Kinetic results showing the effect of Si concentration in the alloys on oxidation rate are given and some problems of the mechanism of oxide films growth on Fe-Si alloys at the given conditions are briefly discussed. La cinétique de la croissance des films minces d'oxydes sur la surface (001) des monocristaux des alliages Fe-Si avec la teneur en Si 2,5–12,0% en poids à 400 °C sous une pression partielle d'oxygène de 30 torr était étudiée à l'aide des deux méthodes optiques, l'éllipsometrie et la microscopie interférometrique. Par rapport aux propriétés optiques complexes des films d'oxydes, on peut déterminer par l'éllipsometrie l'épaisseur des films très minces jusqu à ~ 300 °Å. Pour films plus épaisses, la microscopie interférometrique est applicable. On présente les résultats qui montrent l'influence de la teneur en silicium dans les alliages à la vitesse d'oxydation et l'on discute à la brève quelques problèmes du mécanisme de la croissance des films d'oyxdes sur les alliages Fe-Si dans les conditions usées. Die Wachstumskinetik dünner Oxydschichten an der (001) Ebene der Einkristalle von Fe-Si-Legierungen im Konzentrazionsbereiche des Siliziums 2,5–12,0Gew. % bei 400 °C und beim Sauerstoffpartialdruck 30 torr wurde durch zwei optische Methoden, Ellipsometrie und Interferenzmikroskopie studiert. Wegen komplizierter optischen Eigenschaften der Oxydschichten kann die Schichtdicke durch Ellipsometrie nur bei sehr dünnen Schichten bis ~ 300 Å bestimmt werden. Für dickere Schichten ist die Interferenzmikroskopie geeignet. Es werden die Ergebnisse der kinetischen Messungen erwähnt, die die Einwirkung der Siliziumskonzentration in den Legierungen auf die Oxydationsgeschwindigkeit zeigen, und einige Fragen des Oxydations mechanismus von Fe-Si-Legierungen bei den angeführten Bedingungen werden kürzlich diskutiert." @default.
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