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• W2041481122 abstract "Temperature dependence of Hall mobility in n-type CdSe single crystals in TSC, thermal quenching of photoconductivity, and equilibrium regimes has been investigated. In the thermally stimulated regime the mobility is considerably larger than the one under equilibrium conditions and reaches the equilibrium value nonmonotonously with increasing temperature. In the case of thermal quenching of photoconductivity a rise of mobility has been observed. The equilibrium mobility for low resistivity samples (ϱ ≈︁10 Ω cm) decreases according to the law μ ∼ T −5/6, and increases exponentially for high resistivity samples (≈︁ 1010 Ω cm). The difficulties of determination of trap parameters by TSC method are discussed in case of strong variation of either mobility or life time due to the recharge of centres. A TSC method based on the mobility measurement in the TSC regime is proposed. The results obtained may be explained by scattering of carriers on clusters. A model explaining the experimentally observed mobility dependence on temperature in the TSC regime is suggested. Es wurde die Temperaturabhängigkeit der Beweglichkeit in n-leitenden CdSe-Einkristallen im Zustand der thermostimulierten Leitfähigkeit, im Falle der Temperaturtilgung der Photoleitfähigkeit und im Gleichgewichtszustand untersucht. Im Zustand der thermostimulierten Leitfähigkeit besitzt die Beweglichkeit wesentlich größere Werte als im Gleichgewichtszustand. Sie nimmt mit steigender Temperatur nichtmonoton bis zum Wert des Gleichgewichtszustandes ab. Im Falle der Temperaturtilgung der Photoleitfähigkeit erhöht sich die Beweglichkeit. Bei niederohmigen Einkristallen (ϱ ≈︁ 10Ω cm) nimmt die Gleichgewichtsbeweglichkeit nach dem Gesetz μ ≈︁ T−5/6 ab, während sie bei hochohmigen Kristallen (ϱ ≈︁ 1010 cm) exponentiell zunimmt. Die bei sehr starker Änderung von Beweglichkeit oder Lebensdauer auftretenden Schwierigkeiten bei der Bestimmung der Parameter der Haftstellen mit der Methode der thermostimulierten Leitfähigkeit werden diskutiert. Es wird eine neue Methode der Analyse der thermostimulierten Leitfähigkeit vorgeschlagen, der Messungen der Beweglichkeit im Zustand der thermostimulierten Leitfähigkeit zugrunde liegen. Die experimentellen Ergebnisse können durch Streuung der Ladungsträger an Defektagglomeraten erklärt werden. Es wird ein Modell vorgeschlagen, das eine Erklärung für die experimentell gefundene Abhängigkeit der Beweglichkeit im Bereich der thermostimulierten Leitfähigkeit ermöglicht." @default.
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