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• W2041897135 abstract "Analyse de la reproductibilité des résultats obtenus par différentes méthodes utilisées pour la mise en évidence des points d'émergence des dislocations sur la surface de monocristaux de métaux et de semiconducteurs. Constatation de la difficulté d'une détermination indubitable de la densité des dislocations dans les monocristaux à l'aide d'une seule méthode. Description d'une nouvelle méthode de mise en évidence des dislocations par emploi de l'autoradiographie après décoration des dislocations par atomes marqués. Dans cette méthode on utilise la diffusion préférentielle des éléments d'addition le long des dislocations au cours d'un court traitement et la possibilité de localiser les points d'émergence des dislocations sur la surface du cristal par autoradiographie. Pour la diffusion on a utilisé l'isotope radioactif 110mAg. Comparaison des résultants obtenus dans l'etude de la mise en évidence des points d'émergence des dislocations par attaque chimique et décoration suivie d'une autoadiographie. Analysis of the reproducibility of results given by various methods used to observe the points of emergence of dislocations on the surface of monocrystals of metals and semiconductors. Ascertaining the difficulty of determining with certainty the density of the dislocations in monocrystals using one method only. Description of a new method of revealing dislocations by autoradiography after the dislocations have been painted over with labelled atoms. In this method we employ preferential diffusion of addition elements along the dislocations in the course of a short treatment and the possibility of locating the points of emergence of the dislocations on the crystal surface by autoradiography. As the diffusing element we used the radioactive isotope 110mAg. Comparison of results obtained by the research on the observation of points of emergence of dislocations by chemical attack and painting treatment followed by autoradiography. Oбcyздaeтcя пoвтopИмocTь peзyльтaтoв paзличнyc мeтoдoв вcкpытия выxoдa диcлoкaций нa пoвepxнocть мoнoкpитaллoв мeтaллo б и пoлyпpoвoдникoв. Пoдтвepздaeтcя тpyднocть oднoзнaчнoгo oпpeдeлeни я плoтнocти диcлoкaций в мoнoкpиcтaллax пpи пoмoщи oднoгo тoлькo мeтoдa. Oпиcaн нoвый мeтoд вcкpытия диcлoкaций в мoн oкpиcтaллax c пpимeнeнниeм aвтopaдиoгpaфии пocлe дeкopaции мeчeными aтoмaми. B зтoм м eтoдe иcпoльзoвaн фoкт пpeимщecтвeннoй диcлoкaция м в cлyчae кpaткoвpeмeннoгo диффyзиoннoгo oтзигa, a тaкзe вo zcy;мoжнocть лoкaлизaции выxoдa диcлoкaций нa пoбepxнoTь кpиcтaллa мeтoдoм aвтopa dcy;иoгpaфии. B peaлизaции пpoцecca диффyзии пpимeнялcя paдиoaктивный изoтп cepeбpa Ag110m. Пpивoдитcя cpaвнeниe peзльтaтoб вcкpытия вяx oдa диcлoкaций мeтoдaми xимнчecкoгo тpaвлaниг и aвтopaдиoгpaфи'и пocлe дeкopaции диcлкaций. Es werden die Ergebnisse von verschiedenen Methoden zur Aufzeigung von Versetzungen an der Oberfläche von Einkristallen von Metallen und Halbleitern erörtert. Es ist festgestellt worden, dass es schwierig ist doe unbestreitbare Versetzungsdichte in Einkristallen zu schätzen, wenn nur eine Methode verwendet wird. Es wird eine neue Methode zur Aufzeigung von Versetzungen durch Markierung der letzteren mit radioaktiven Indikatoren mit nachfolgender Autoradiographie beschrieben. Die beschriebene Methode benutzt die selektive Diffusion von Beimischungen in die Versetzungen im Falle von kurzzeitiger Diffusion und die Möglichkeit, die Versetzungen auf der Kristalloberfläche durch Autoradiographie festzulegen. Für die Diffusion wurden Ag110m Isotopen benutzt. Es werden die Ergebnisse der Aufzeigung von Versetzungsgübchen durch chemiches Ätzen mit denen der Markierung durch radioaktive Indikatoren mit nachfolgender Autoradiographie verglichen." @default.
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