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• W2045798428 abstract "The Faraday-type magneto-microwave Kerr effect in semiconductors at weak magnetic fields has been studied in the domain where the influence of the carrier inertia is low but not negligible. After stating the expressions connecting the rotation and the ellipticity of the reflected wave to the material parameters we have applied these results to the determination of Hall mobility and shown that a precise determination of this mobility must usually be realised from both rotation and ellipticity effects. The experimental study has been achieved with a recording interferential reflecto-polarimeter. This apparatus being particularly well suited to this study has not yet been used for this kind of measurements. We have thus determined precisely the Hall mobility of various semiconductor samples at 16 GHz and at room temperature. L'effet Kerr magnétique microonde du type Faraday dans les semiconducteurs en champ magnétique faible est étudié dans le domaine où l'influence de l'inertie des porteurs est faible mais non négligeable. Après avoir établi les expressions reliant la rotation et l'ellipticité de l'onde réfléchie aux paramètres du matériau les auteurs appliquent ces résultats à la détermination de la mobilité de Hall. Ils montrent que pour avoir une détermination précise, celle-ci doit être généralement effectuée à partir des deux effets, rotation et ellipticité. L'étude expérimentale a été réalisée avec un réflecto-polarimètre enregistreur interférentiel. Cet appareil qui est particulièrement bien adapté à cette étude, n'avait pas encore été utilisé pour ce type de mesures. Les auteurs ont ainsi déterminé avec précision la mobilité de Hall de divers échantillons semiconducteurs à 16 GHz et à température ambiante." @default.
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