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- W2051762010 abstract "On a examiné les effects du traitement thermique sous vide sur la résistivité des cristaux de CdF2:Mn2+:Y3+ ainsi que sur les caractéristiques électriques des barrières Schottky réalisées sur des substrats soumis au traitement thermique. Dans des températures allant jusqu'à 250°C, un traitement thermique sous vide prolongé měme, ne modifie pas les propriétés de CdF2. Pour les températures plus élevées où les propriétés subissent des modifications irréversibles, on a étudié la mesure dans laquelle le processus de déconversion du CdF2 était foncition de la température et de la durée du traitement. L'étude des diodes Schottky Au-CdF2 a prouvé que leur dégradation était due au fait que, au cours du travail de ces éléments, se crée une couche semi-isolante de CdF2 entre le contact métallique et le semiconducteur. The effect of vacuum heat treatment on the resistivity of CdF2:Mn2+:Y3+ crystals and on electrical characteristics of Schottky barriers made on heat treated substrates is examined. It is established that at temperatures up to 250°C even longterm vacuum heat treatment has no influence of properties of CdF2. For higher temperatures, where irreversible changes of material properties occur, temperature and time dependence of deconversion process in CdF2 is established. The degradation of Au-CdF2 Schottky diodes is shown to be due to the growth of a semi-insulating CdF2 layer between the metal contact and the semiconductor." @default.
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