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• W2058410158 abstract "The development of dislocation structures in the (211)[1&#x0304;11] single crystals of Al-3%Mg has been investigated in relation to shear band formation after rolling at room temperature and 473 K. During rolling at RT, the dislocation structures which developed with increasing strain were characterized by homogeneously distributed diffuse cells (ϵ ≲ 0.35), aligned microbands (ϵ ∼- 0.50) and shear bands (ϵ ≳ 0.50). The shear bands nucleated within the clusters of the microbands. In contrast to this, long dislocations with homogeneous distribution (ϵ ≲ 0.40) and subboundaries as well as subgrains (ϵ ≳, 0.40) were dominant microstructures at- 473 K rolling. No shear bands were obtained from these microstructures. These results were discussed in terms of the effects of rolling temperature, solute atoms and slip geometry of the AlMg alloy. Nous avons étudié le développement des structures de dislocations dans les monocristaux (211) [1&#x0304;11] d'aluminium à 3% de magnésium, en rapport avec la formation de bandes de cisaillement après laminage à la température ordinaire et à 473 K. Au cours du laminage à la température ambiante, les structures de dislocations développées pour des déformations croissantes sont caractérisées par des cellules diffuses réparties de façon homogène (ϵ ≲ 0,35), par des microbandes alignées (ϵ ∼- 0,50), et par des bandes de cisaillement (ϵ ≳ 0,50). Les bandes de cisaillement germent à l'intérieur des amas de microbandes. Au contraire, les microstructures qui dominent pour les laminages à 473 K sont de longues dislocations distribuées de manière homogène (ϵ ≲ 0,40) et des sous-joints ainsi que des sous-grains (ϵ ≳ 0,40). On n'obtient pas de bandes de cisaillement avec ces microstructures. Nous discutons ces résultats en fonction des effets de la température de laminage, des atomes solutés et de la géométrie du glissement dans l'alliage AlMg. Die Ausbilding der Versetzungsstructur in den (211) [1&#x0304;11] Einkristallen von AI-3% Mg wurde nach der Walzverformung bei Raumtemperatur und 473 K im Zusammenhang mit der Sherbandbildung untersucht. Während des Walzens bei R.T. entwickelten sich undeutliche Versetzungszellen mit homogener Verteiling (ϵ ≲ 0.35), eingerichtete Mikrobänder (ϵ ∼- 0.50) und Sherbänder (ϵ ≳ 0.50) mit zunehmendem Verformungsgrad. Die Sherbänder wurden sich in den lamellen Mikrobändern gebildet, die aus schichtförmigen Versetzungswändern bestehten. Im Gegensatz zur Verformung bei R.T. wurden eine homogene Annordnung der langen Versetzungslinien (ϵ ≲ 0.40) und Subkorngrenzen sowie Subkörner (ϵ ≳ 0.40) nach dem Walzen bei 473 K beobachtet. Keine Sherbänder stattfindeten aus diesen Mikrostructuren. Deise Ergibnissen wurden auf dem Effekt von Walztemperature, gelösterm Atomen und Gleitgeometrie betrachtet." @default.
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