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- W2060839487 abstract "Reaction mixtures of the tetrahydrofuran adducts of Zn(CH3)2 and Zn(C2H5)2 with tertiary butanol are very well suitable for the MOCVD of c-axis oriented ZnO films. The deposition process is greatly determined by the kind of the gas inlet into the vertical reactor. The growth rates present a great dependence on temperature. The incorporation of compensating copper acceptors can be achieved with the help of cyclopentadienyl (tributylphosphine)-copper (I). The structural and the electrical properties of the films are presented. Reaktionsgemische der Tetrahydrofuran-Addukte von Zn(CH3)2 und Zn(C2H5)2 mit Tertiärbutylakohol eignen sich sehr gut für die MOCVD von c-achsenorientierten ZnO-Schichten. Der Ablagerungsprozeß wird wesentlich durch die Art des Gaseinlasses in den Vertikalreaktor bestimmt. Die Wachstumsraten weisen eine starke Abhängigkeit von der Temperatur auf. Der Einbau von kompensierenden Kupferakzeptoren gelingt mit Hilfe von Cyclopentadienyl (tributylphosphin) Kupfer (I). Die Schichten werden strukturell und elektrisch charakterisiert." @default.
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