FRINK Linked Data Fragments server

Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W2062702684> ?p ?o ?g. }

• W2062702684 endingPage "1012" @default.
• W2062702684 startingPage "1009" @default.
• W2062702684 abstract "Investigations have been carried out on the thin film oxidation of Copper in the temperature range 65–120°C. Both annealed and 25% cold deformed samples were employed. The results are discussed with reference to the logarithmic equation developed by William and Hayfield as well as Uhlig, considering the arrival of electrons at the oxide-gas interface by thermionic emission as the rate controlling step. The concentration of electron trapping centers in the oxide and the activation energy are found to be higher in case of cold worked material. The number of Fermi electrons arriving at the barrier per unit time as calculated from the oxidation data is found to be lower in the deformed Copper. Des études de l'oxydation du cuivre en film mince ont été effectuées entre 65 et 120°C. Les auteurs ont utilisé à la fois des échantillons recuits et des échantillons déformés à froid à 25 %. Les résultats sont discutés à l'aide de l'équation logarithmique proposée par William et Hayfield ainsi que par Uhlig, en considérant que l'arrivée des électrons sur l'interface oxyde-gaz par émission thermoionique est l'élément essentiel contrôlant la vitesse. Les auteurs trouvent que la concentration des centres piégeant les électrons dans l'oxyde et l'énergie d'activation sont plus élevées dans le cas du matériau écroui à froid. Ils trouvent que le nombre des électrons de Fermi arrivant à la barrière par unité de temps calculé à partir des résultats de l'oxydation est plus faible pour le cuivre déformé. Es wurden Untersuchungen der Oxidation dünner Kupferfolien im Temperaturbereich zwischen 65 und 120°C sowolh an angelassenen als auch an 25 % kaltverformten Proben durchgeführt. Die Ergebnisse werden an Hand der von William und Hayfield wie auch von Uhlig abgeleiteten logarithmischen Gleichung diskutiert, wobei die Ankunft der Elektronen an der Oxid-Gas-Grenzfläche durch thermionische Emission als geschwindigkeitsbestimmender Schritt betrachtet wird. Die Konzentration von Haftzentren für Elektronen im Oxid und die Aktivierungsenergie sind im kaltverformten Material höher. Die aus Oxidationsdaten berechnete Zahl der pro Zeiteinheit an der Grenze ankommenden Fermielektronen ist im verformten Kupfer kleiner." @default.
• W2062702684 created "2016-06-24" @default.
• W2062702684 creator A5001350995 @default.
• W2062702684 creator A5074095625 @default.
• W2062702684 date "1969-08-01" @default.
• W2062702684 modified "2023-10-17" @default.
• W2062702684 title "Oxidation kinetics of copper in the thin film range" @default.
• W2062702684 cites W1989312830 @default.
• W2062702684 cites W2008077053 @default.
• W2062702684 cites W2023679097 @default.
• W2062702684 cites W2026246477 @default.
• W2062702684 cites W2030011774 @default.
• W2062702684 cites W2036384215 @default.
• W2062702684 cites W2069538897 @default.
• W2062702684 cites W2090159558 @default.
• W2062702684 cites W2316583611 @default.
• W2062702684 cites W2332095368 @default.
• W2062702684 doi "https://doi.org/10.1016/0001-6160(69)90046-7" @default.
• W2062702684 hasPublicationYear "1969" @default.
• W2062702684 type Work @default.
• W2062702684 sameAs 2062702684 @default.
• W2062702684 citedByCount "10" @default.
• W2062702684 countsByYear W20627026842014 @default.
• W2062702684 countsByYear W20627026842019 @default.
• W2062702684 crossrefType "journal-article" @default.
• W2062702684 hasAuthorship W2062702684A5001350995 @default.
• W2062702684 hasAuthorship W2062702684A5074095625 @default.
• W2062702684 hasConcept C113196181 @default.
• W2062702684 hasConcept C121332964 @default.
• W2062702684 hasConcept C143979616 @default.
• W2062702684 hasConcept C147120987 @default.
• W2062702684 hasConcept C147789679 @default.
• W2062702684 hasConcept C185544564 @default.
• W2062702684 hasConcept C185592680 @default.
• W2062702684 hasConcept C191897082 @default.
• W2062702684 hasConcept C192562407 @default.
• W2062702684 hasConcept C2779851234 @default.
• W2062702684 hasConcept C39353612 @default.
• W2062702684 hasConcept C43617362 @default.
• W2062702684 hasConcept C97355855 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C113196181 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C121332964 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C143979616 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C147120987 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C147789679 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C185544564 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C185592680 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C191897082 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C192562407 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C2779851234 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C39353612 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C43617362 @default.
• W2062702684 hasConceptScore W2062702684C97355855 @default.
• W2062702684 hasIssue "8" @default.
• W2062702684 hasLocation W20627026841 @default.
• W2062702684 hasOpenAccess W2062702684 @default.
• W2062702684 hasPrimaryLocation W20627026841 @default.
• W2062702684 hasRelatedWork W1673008620 @default.
• W2062702684 hasRelatedWork W2041828075 @default.
• W2062702684 hasRelatedWork W2060420260 @default.
• W2062702684 hasRelatedWork W2082591874 @default.
• W2062702684 hasRelatedWork W2086395407 @default.
• W2062702684 hasRelatedWork W2133998485 @default.
• W2062702684 hasRelatedWork W2134948224 @default.
• W2062702684 hasRelatedWork W2867757543 @default.
• W2062702684 hasRelatedWork W2889997997 @default.
• W2062702684 hasRelatedWork W2924754280 @default.
• W2062702684 hasVolume "17" @default.
• W2062702684 isParatext "false" @default.
• W2062702684 isRetracted "false" @default.
• W2062702684 magId "2062702684" @default.
• W2062702684 workType "article" @default.