SemOpenAlex |

SemOpenAlex

Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W2063179918> ?p ?o ?g. }

Showing items 1 to 100 of ±149 with 100 items per page.

W2063179918 endingPage "368" @default.
W2063179918 startingPage "366" @default.
W2063179918 abstract "Micro-Raman thermography, microphotoluminescence spectroscopy, and thermal simulation were used to study the thermal properties of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors grown on semi-insulating bulk GaN substrates. A bulk GaN thermal conductivity of 260 <formula formulatype=inline xmlns:mml=http://www.w3.org/1998/Math/MathML xmlns:xlink=http://www.w3.org/1999/xlink><tex Notation=TeX>$hbox{W}cdothbox{m}^{-1} cdothbox{K}^{-1}$</tex></formula> was determined from temperature measurements on operating devices in combination with finite-difference thermal simulations. This is significantly higher than typical thin GaN epilayer thermal conductivities, due to a lower dislocation density in bulk GaN. Despite the thermal conductivity of bulk GaN being lower than that of SiC, transistors on bulk GaN exhibited a similar thermal resistance as GaN-on-SiC devices, attributed to the absence of a thermal boundary resistance between the device epilayers and substrate for GaN-on-GaN devices." @default.
W2063179918 created "2016-06-24" @default.
W2063179918 creator A5000342020 @default.
W2063179918 creator A5003270215 @default.
W2063179918 creator A5005458731 @default.
W2063179918 creator A5006705538 @default.
W2063179918 creator A5011732123 @default.
W2063179918 creator A5014675611 @default.
W2063179918 creator A5022238203 @default.
W2063179918 creator A5050124976 @default.
W2063179918 creator A5050851020 @default.
W2063179918 creator A5052151969 @default.
W2063179918 creator A5053830227 @default.
W2063179918 creator A5060508646 @default.
W2063179918 creator A5065838439 @default.
W2063179918 creator A5066057801 @default.
W2063179918 creator A5068261400 @default.
W2063179918 creator A5074781434 @default.
W2063179918 creator A5079931455 @default.
W2063179918 creator A5081176603 @default.
W2063179918 creator A5088421498 @default.
W2063179918 date "2012-03-01" @default.
W2063179918 modified "2023-09-24" @default.
W2063179918 title "Thermal Properties of AlGaN/GaN HFETs on Bulk GaN Substrates" @default.
W2063179918 cites W1983635463 @default.
W2063179918 cites W1991043183 @default.
W2063179918 cites W1997508263 @default.
W2063179918 cites W2004157914 @default.
W2063179918 cites W2009810836 @default.
W2063179918 cites W2025382630 @default.
W2063179918 cites W2046280597 @default.
W2063179918 cites W2050766260 @default.
W2063179918 cites W2092086561 @default.
W2063179918 cites W2094109453 @default.
W2063179918 cites W2103125572 @default.
W2063179918 cites W2108199867 @default.
W2063179918 cites W2118926188 @default.
W2063179918 cites W2122230362 @default.
W2063179918 cites W2129795587 @default.
W2063179918 cites W2159168707 @default.
W2063179918 cites W2161008950 @default.
W2063179918 cites W2162066084 @default.
W2063179918 cites W2167222742 @default.
W2063179918 doi "https://doi.org/10.1109/led.2011.2179972" @default.
W2063179918 hasPublicationYear "2012" @default.
W2063179918 type Work @default.
W2063179918 sameAs 2063179918 @default.
W2063179918 citedByCount "48" @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182012 @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182013 @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182014 @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182015 @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182016 @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182017 @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182018 @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182019 @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182020 @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182021 @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182022 @default.
W2063179918 countsByYear W20631799182023 @default.
W2063179918 crossrefType "journal-article" @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5000342020 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5003270215 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5005458731 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5006705538 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5011732123 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5014675611 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5022238203 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5050124976 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5050851020 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5052151969 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5053830227 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5060508646 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5065838439 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5066057801 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5068261400 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5074781434 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5079931455 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5081176603 @default.
W2063179918 hasAuthorship W2063179918A5088421498 @default.
W2063179918 hasConcept C111368507 @default.
W2063179918 hasConcept C119599485 @default.
W2063179918 hasConcept C120665830 @default.
W2063179918 hasConcept C121332964 @default.
W2063179918 hasConcept C127313418 @default.
W2063179918 hasConcept C127413603 @default.
W2063179918 hasConcept C137693562 @default.
W2063179918 hasConcept C159985019 @default.
W2063179918 hasConcept C165801399 @default.
W2063179918 hasConcept C171250308 @default.
W2063179918 hasConcept C172385210 @default.
W2063179918 hasConcept C189278905 @default.
W2063179918 hasConcept C192562407 @default.
W2063179918 hasConcept C204530211 @default.
W2063179918 hasConcept C26873012 @default.
W2063179918 hasConcept C2777289219 @default.
W2063179918 hasConcept C2778871202 @default.
W2063179918 hasConcept C2779227376 @default.