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- W2066893220 abstract "The value of the capture rate cn and the capture cross section σn of the gold acceptor level is determined from single injection SCLC measurements at high resistivity Au-compensated n+–i–n+-Si samples. By means of a single and double pulse method the time dependence of the current is measured for the capture and reemission of electrons by the Au-acceptor level. The capture and emission time constant τ and τe were calculated according to the SRH model. From the temperature dependence of τe the activation energy Ec–EAu was determined. The obtained value of cn agrees quite well with that given by Bemski whereas the value given by Fairfield and Gokhale cannot be confirmed. The value of cn calculated from the emission rate e given by Sah is too large by a factor of about four. An hochohmigen goldkompensierten n+–i–n+-Siliziumproben wurden der Einfangs-koeffizient cn und der Wirkungsquerschnitt σn des Goldakzeptorniveaus bestimmt. Mit Hilfe einer Einfach- und einer Doppelimpulsmeßmethode wurde der Strom-Zeitverlauf für den Einfang und die Reemission von Elektronen durch das Akzeptorniveau gemessen. Ausgehend vom Modell von Shockley, Read und Hall wurde der Strom-Zeitverlauf berechnet und aus dem Vergleich mit dem Experiment die Einfang- und Emissionszeit-konstante bestimmt. Aus der Temperaturabhängigkeit der Emissionszeitkonstanten wurde die Aktivierungsenergie Ec–EAu bestimmt. Der ermittelte Wert für cn stimmt recht gut mit dem von Bemski angegebenen überein, läßt sich jedoch nicht mit dem von Fairfield und Gokhale bestimmten in Einklang bringen. Aus dem von Sah angegebenen Wert für e ergibt sich ein um den Faktor vier größerer Wert für cn." @default.
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