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• W2068222673 abstract "The electrical properties between 80 and 300 K and the optical absorption at room temperature of both n- and p-type CuInTe2 are studied. The n-type sample is obtained by annealing p-type CuInTe2 in the presence of indium for a prolonged period of time. The p-type samples are grown by programmed directional freezing technique with slight excess of indium in the stoichiometry. Two defect levels with ED = 58 meV and EA around 15 meV are identified from the analysis of the temperature dependence of the carrier concentration. The origin of these levels, consistent with the covalent bonding model, is attributed to InCu and VTe, respectively. From a theoretical fit to the experimental data, the density of states effective mass of the electrons is found to be m n ★ = 0.16me. The estimated values of the conduction and valence-band deformation potentials are in agreement with the general trend observed in other I–III–VI2 compounds. Using the model proposed for the band-gap shrinkage, the energy gap of n-type CuInTe2 in the dilute limit is calculated to be 1.026 eV. On a étudié les proprietés electriques entre 80 et 300 K, et l'absorption optique à température ambiante de CuInTe2 type n et type p. L'échantillon type n a été obtenu par recuit et celuit type p par mise en présence de l'Indium durant une période de temps prolongé. On a fait croǐtre les échantillons type p par la technique de refroidissement directionnel programmé avec un léger excès d'Indium dans la stoechiométrie. Par l'analyse de la dépendance de la température de concentration des porteurs, on a identifié deux niveaux de défauts avec ED = 58 meV et EA environ 15 meV. L'origine de ces niveaux, compatible avec le modèle de liaison covalente, est attribuè it à InCu et a VTe, respectivement. Après un ajustement théorique aux données expérimentales, la densité des états de la masse effective des électrons est de m★ = 0,16me. Les valeurs estimées des potentiels de déformation des bandes de conduction et de valence sont en accord avec la tendance générale observée dans les composés I–III–VI2. En utilisant le modèle proposé pour la contraction de la bande du gap, le résultat de gap d'énergie de CuInTe2 type n dans la limite diluée est de 1,026 eV." @default.
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