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Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W2068561241> ?p ?o ?g. }

• W2068561241 endingPage "335" @default.
• W2068561241 startingPage "327" @default.
• W2068561241 abstract "Precipitation processes of vacancies and of silicon atoms were investigated by means of resistometric measurement and transmission electron microscopy, and the mechanism of vacancy enhanced nucleation of silicon precipitates was discussed. When a specimen quenched from 580°C and preaged to enhance the nucleation of silicon precipitates is aged at near 200°C, the resistivity decreases in four stages. In the first stage, dislocation loops are formed by condensation of vacancies. The loops disappear and silicon atom clusters become visible in the second stage where the resistivity decreases rather slowly. The third and fourth stages are due to precipitation of silicon atoms in a stable form. Nucleation of silicon atom clusters is considered to take place during the first stage. Growth and shrinkage of dislocation loops due to condensation and evaporation of vacancies during the initial stage of aging are considered important in the nucleation of silicon clusters. The possibility for silicon atoms to flow to dislocation loops together with excess vacancies is also discussed. Les phénomènes de précipitation des lacunes et des atomes de silicium ont été étudiés à l'aide de mesures de résistivité électrique et d'observations en microscopie électronique par transmission. Le mécanisme de la formation accélérée de précipités de silicium en présence d'un excédent de lacunes est discuté. Lorsqu'un échantillon, trempé depuis 580°C et prévieilli en vue de la germination accélérée des précipités de silicium, est traité au voisinage de 200°C, la résistivité décroît en quatre étapes. Au cours du premier stade, il se forme des boucles de dislocations par condensation de lacunes. Au second stade, les boucles disparaissent et l'on commence à voir des amas d'atomes de silicium; pendant ce temps la résistivité décroît plutôt lentement. Les stades 3 et 4 sont dus à la précipitation des atomes de silicium sous une forme stable. D'après les auteurs, le germination des amas d'atomes de silicium commencerait au cours du premier stade. La croissance et le rétrécissement des boucles de dislocations, du fait de la condensation et de l'évaporation des lacunes au cours du stade initial du vieillissement, sont considérés comme importants dans la germination des amas de silicium. La possibilité que des atomes de silicium soient entraînés vers les boucles de dislocations par les lacunes excédentaires est également examinée. Die Ausscheidung von Leerstellen und Siliziumatomen in einer Aluminium-Silizium-Legierung wurde mit Hilfe von elektrischen Widerstandsmessungen und der Durchstrahlungselektronenmikroskopie untersucht und die leerstellenbegünstigte Keimbildung von Siliziumausscheidungen wird diskutiert. Wird eine von 580°C abgeschreckte, zum Zwecke verstärkter Bildung von Silizium-Ausscheidungskeimen vorgealterte Probe etwa bei 200°C ausgelagert, so nimmt der Widerstand in vier Stufen ab. In der ersten Stufe werden durch Kondensation von Leerstellen Versetzungsringe gebildet. In der zweiten Stufe, in der der Widerstand langsam ausheilt, verschwinden die Leerstellenringe und Siliziumcluster treten auf. In der dritten und vierten Stufe entstehen stabile Siliziumausscheidungen. Die Keimbildung der Siliziumcluster findet in der ersten Stufe statt. Das Wachstum und Schrumpfen von Versetzungsringen als Folge der Kondensation und des Abdampfens von Leerstellen im Anfangsstadium des Alterungsprozesses is für die Keimbildung der Siliziumcluster von Bedeutung. Auch die Möglichkeit, daβ Siliziumatome zusammen mit Überschuβleerstellen zu den Leerstellenringen wandern wird diskutiert." @default.
• W2068561241 created "2016-06-24" @default.
• W2068561241 creator A5060551151 @default.
• W2068561241 creator A5067715268 @default.
• W2068561241 date "1971-12-01" @default.
• W2068561241 modified "2023-10-14" @default.
• W2068561241 title "Behavior of excess vacancies during the nucleation of precipitates in aluminum-silicon alloys" @default.
• W2068561241 cites W1967466774 @default.
• W2068561241 cites W1969922177 @default.
• W2068561241 cites W1978570808 @default.
• W2068561241 cites W2007963870 @default.
• W2068561241 cites W2022715620 @default.
• W2068561241 cites W2046898213 @default.
• W2068561241 cites W2048119149 @default.
• W2068561241 cites W2069691092 @default.
• W2068561241 cites W2083794206 @default.
• W2068561241 doi "https://doi.org/10.1016/0025-5416(71)90100-5" @default.
• W2068561241 hasPublicationYear "1971" @default.
• W2068561241 type Work @default.
• W2068561241 sameAs 2068561241 @default.
• W2068561241 citedByCount "62" @default.
• W2068561241 countsByYear W20685612412012 @default.
• W2068561241 countsByYear W20685612412017 @default.
• W2068561241 countsByYear W20685612412018 @default.
• W2068561241 countsByYear W20685612412019 @default.
• W2068561241 countsByYear W20685612412020 @default.
• W2068561241 countsByYear W20685612412021 @default.
• W2068561241 countsByYear W20685612412023 @default.
• W2068561241 crossrefType "journal-article" @default.
• W2068561241 hasAuthorship W2068561241A5060551151 @default.
• W2068561241 hasAuthorship W2068561241A5067715268 @default.
• W2068561241 hasConcept C107054158 @default.
• W2068561241 hasConcept C114221277 @default.
• W2068561241 hasConcept C121332964 @default.
• W2068561241 hasConcept C149635348 @default.
• W2068561241 hasConcept C153294291 @default.
• W2068561241 hasConcept C159122135 @default.
• W2068561241 hasConcept C159985019 @default.
• W2068561241 hasConcept C185592680 @default.
• W2068561241 hasConcept C191897082 @default.
• W2068561241 hasConcept C192562407 @default.
• W2068561241 hasConcept C41008148 @default.
• W2068561241 hasConcept C544956773 @default.
• W2068561241 hasConcept C58312451 @default.
• W2068561241 hasConcept C61048295 @default.
• W2068561241 hasConcept C62520636 @default.
• W2068561241 hasConcept C69990965 @default.
• W2068561241 hasConcept C8010536 @default.
• W2068561241 hasConcept C97355855 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C107054158 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C114221277 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C121332964 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C149635348 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C153294291 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C159122135 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C159985019 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C185592680 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C191897082 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C192562407 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C41008148 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C544956773 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C58312451 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C61048295 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C62520636 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C69990965 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C8010536 @default.
• W2068561241 hasConceptScore W2068561241C97355855 @default.
• W2068561241 hasIssue "6" @default.
• W2068561241 hasLocation W20685612411 @default.
• W2068561241 hasOpenAccess W2068561241 @default.
• W2068561241 hasPrimaryLocation W20685612411 @default.
• W2068561241 hasRelatedWork W1899482388 @default.
• W2068561241 hasRelatedWork W1978632905 @default.
• W2068561241 hasRelatedWork W1991852159 @default.
• W2068561241 hasRelatedWork W2003728821 @default.
• W2068561241 hasRelatedWork W2008814372 @default.
• W2068561241 hasRelatedWork W2022186869 @default.
• W2068561241 hasRelatedWork W2028761922 @default.
• W2068561241 hasRelatedWork W2072400356 @default.
• W2068561241 hasRelatedWork W2087846654 @default.
• W2068561241 hasRelatedWork W2356754826 @default.
• W2068561241 hasVolume "8" @default.
• W2068561241 isParatext "false" @default.
• W2068561241 isRetracted "false" @default.
• W2068561241 magId "2068561241" @default.
• W2068561241 workType "article" @default.