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• W2069709202 abstract "Des couches minces de sélénium dopé au chlore ont été caractérisées de la façon suivante: étude de structure cristalline et étude comparative de la taille des grains aux rayons X et au microscope électronique à balayage; détermination de la répartition du chlore par analyse SIMS (secondary ion mass spectrometry) et caractérisation électrique par mesures de conductivité, d'effet Hall et de pouvoir thermoélectrique, ceci en fonction de la nature du substrat, de la méthode d'obtention des couches et de la concentration initiale en chlore dans la poudre de départ. Un montage de mesure du pouvoir thermoélectrique, adapté aux échantillons de résistance élevée, a été mis au point. On montre que le chlore n'est pas réparti uniformément dans les couches, en profondeur et dans le plan du substrat. La taille des grains augmente quand la concentration de chlore diminue et quand la couche est réalisée sur un substrat chauffé. Les couches étant polycrystallines, les mesures de résistivité, d'effet Hall et de pouvoir thermoélectrique montrent que seule une fraction de chlore a un rôle actif électriquement dans les cristallites, en créant des porteurs de type p, le reste étant localisé aux joints de grains. Thin films of chlorine-doped selenium were characterized using X-rays, scanning electron microscopy and secondary ion mass spectrometry (SIMS) studies. The conductivity, Hall effect and thermoelectric power variations were measured vs . temperature. A new device for measurement of the thermoelectric power of resistive samples is described. SIMS analysis showed that chlorine was not uniformly distributed in the films. The crystallite size was found to increase when the chlorine concentration decreased and/or when the substrate temperature during deposition increased. The films being polycrystalline, electrical measurements show that only a small fraction of chlorine enters the crystallite and increases the acceptor concentration, while the excess chlorine remains at the grain boundaries." @default.
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