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- W2076121176 abstract "Les couches minces de SnSe 2 ont été préparées par évaporation sous vide. Une technique de dopage par coévaporation a été utilisée pour réaliser des couches dopées. Les variations de la résistivité des couches élaborées (pures et dopées) ont étéétudiées en fonction des conditions de réalisation et en fonction de la température (100–500 K). Les couches obtenues sont stables au-dessous de 130°C. La résistivité des couches dopées est de l'ordre de quelques ohm centimètres. L'augmentation de la résistivité des couches aprés recuit ou traitement thermique et dans le cas d'un dépôt sur un substrat à température élevée a été interprétée par une ionisation suive d'une redistribution des impuretés introduites et par une transformation partielle de SnSe 2 en SnSe. Thin films of SnSe 2 were prepared by vacuum evaporation. A two-source evaporation technique was used to prepare doped thin films. The variation in the resistivity with the preparation conditions and with temperature (100–500 K) was studied. Thin films of SnSe 2 were shown to be stable below 130°C. By doping with tin impurities we were able to reduce the resistivity to a few ohm centimetres. The high resistivity after annealing or heat treatments nd in the case of high substrate temperatures was interpreted as due to ionization and redistribution of impurities and to a partial transformation of SnSe 2 to SnSe." @default.
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