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- W2076177890 abstract "Burst noise has been investigated in forward-biased silicon diodes and transistors. To separate surface effects from bulk effects, measurements were performed on gate-controlled devices. Both gate-voltage-dependent and gate-voltage-independent burst noise were observed. Burst noise under forward bias conditions has been characterized in terms of the bias across the p-n junction. From this characterization simple equivalent circuits are presented for diodes and bipolar transistors which model the main features of burst noise in these devices. Analytical expressions for the burst noise spectral distributions are developed and compared with experiment. Le bruit d'éclatement a été examiné dans les diodes et transistors en silicium à polarisation directe. Pour séparer les effets de surface des effets de masse, les mesures ont été faites sur, des dispositifs contrôlés par les portes. On a observé le bruit d'éclatement indépendant et dépendant des tensions de porte. Le bruit d'éclatement à régime de polarisation directe a été caractérisé en terme de la polarisation à travers la jonction p-n. De cette caractérisation, de simples circuits équivalents sont présentés pour les diodes et transistors bipolaires qui représentent les traits principaux du bruit d'éclatement de ces dispositifs. Des expressions analytiques pour les distributions spectrales du bruit d'éclatement sont développées et comparées aux expériences. Ein stossweise auftretendes Rauschen (Burst-Rauschen) bei in Vorwärtsrichtung gepolten Siliziumdioden und -transistoren wurde untersucht. Um Oberflächeneffekte von Volumeneffekten zu separieren, wurden die Messungen an Bauelementen mit zusätzlicher Steuerelektrode durchgeführt. Es wurde sowohl Burst-Rauschen beobachtet, das von der Steuerspannung abhängt, als auch solches, das nicht von der Steuerspannung abhängt. Das Burst-Rauschen bei Betrieb in Vorwärtsrichtung wurde charakterisiert durch die Spannung über dem pn-Übergang. Auf dieser Basis entstandene einfache Ersatzschaltungen werden mitgeteilt für Dioden und bipolare Transistoren. Sie erklären das Wesentliche am Erscheinungsbild dieses Rauschens bei den genannten Bauelementen. Analytische Ausdrücke für die Spektralverteilung des Burst-Rauschens werden abgeleitet und mit experimentellen Ergebnissen verglichen." @default.
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