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• W2076286053 abstract "The effects of high temperature anneal on the electrical activity of Fe in B-doped p-type silicon are studied by means Hall effect, lifetime, and infrared absorption spectroscopy measurements. The ironimpurities consistently show donor-type behaviour but do not leadto a change in conductivity type even when the Fe concentration is above both, the acceptor concentration and the solubility limit of Fe in Si. Atlow concentrations, almost all the Fe atoms present are electrically active as donors but at high concentrations, only a small fraction of the Fe present is electrically active. The presence of Fe impurities leads to a decrease in the lifetime of minority carriers. However, while a low Fe iondose of 1012 cm−2 gives rise to a decrease by a factor of about 0.83, a high dose of 5 × 1015 cm−2 only gives rise to a decrease by a factor of 0.56. A small peak ata wavenumber of about 444 cm−1, thought to be due to a complex involving Fe, appears on the FTIR spectrum of the high dose specimen. The results are interpreted in terms of intrinsic gettering processes due to the presence of high temperature oxygen precipitate. Storage at room temperature over a period of time leads to significant increase in the minority carrier lifetime. Die Einflüsse einer Hochtemperaturtemperung auf die elektrische Aktivität von Fe in B-dotiertem, p-leitendem Silizium werden mittels Hall-Effekt, Lebensdauer und Infrarotspektrometrie untersucht. Die Eisenstörstellen zeigen konsistent donatorähnliches Verhalten, führen jedoch nicht zu einer Änderung des Leitfähigkeitstyps, sogar wenn die Fe-Konzentration oberhalb der Akzeptorkonzentration und der Löslichkeitsgrenze von Fe in Si liegt. Bei niedrigen Konzentrationen liegen fast alle Fe-Atome als elektrisch aktive Donatoren vor, jedoch bei hohen Konzentrationen ist nur ein geringer Anteil des vorhandenen Fe elektrisch aktiv. Die Anwesenheit von Fe-Störstellen führt zu einem Abfall der Lebensdauer der Minoritätsladungsträger. Während jedoch eine niedrige Fe-Ionendosis 1012 cm−2 Anlaß zu einem Abfall um den Faktor 0,83 gibt, führt eine hohe Dosis von 5 × 1015 cm−2 nur zu einem Abfall um einen Faktor 0,56. Ein kleines Maximum bei einer Wellenzahl um etwa 444 cm−1, das wahrscheinlich von einem Komplex, der Fe enthält, hervorgerufen wird, tritt im FTIR-Spektrum der Hochdosisproben auf. Die Ergebnisse werden mit einem intrinsischen Getterprozeß infolge der Anwesenheit von Hochtemperatursauerstoffpräzipitaten interpretiert. Die Aufbewahrung bei Zimmertemperatur über eine längere Zeit führt zu einem beträchtlichen Anstieg der Minoritätsträgerlebensdauer." @default.
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