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- W2076754561 abstract "Growth of InP layers by MOVPE using trimethylindium-trimethylamine (TMIn–TMN) is described. Low temperature photoluminescence results reveal the high crystal quality indicated by the well resolved excitonic spectra and high internal quantum efficiency. A strong near-gap luminescence degradation with decreasing substrate temperature during the growth corresponds with the increasing deep level concentration estimated by the DLTS-investigations. In the specimens prepared at higher temperatures carbon and zinc are believed to be the main residual acceptors. From C–V data free carrier concentrations of 1015 cm−3 were obtained. Das MOVPE Wachstum von InP unter Verwendung von Trimethylindium-Trimethylamin (TMIn–TMN) wird vorgestellt. Die Ergebnisse der Tieftemperaturphotolumineszenz weisen auf Grund der gut aufgelösten Excitonenspektren sowie der hohen inneren Quantenausbeute die gute Qualität des Materials nach. Die starke Abnahme der bandkantennahen Lumineszenz bei verringerter Züchtungstemperatur steht mit der durch DLTS-Untersuchungen bestimmten Konzentration tiefer Zentren in Zusammenhang. Kohlenstoff und Zink werden als wesentliche Akzeptorverunreinigungen bei höheren Züchtungstemperaturen angesehen. Durch C–V-Messungen wurden freie Ladungsträgerkonzentrationen von 1015 cm−3 bestimmt." @default.
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