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• W2078543905 abstract "Resistivity measurements on semiconductors and semi-insulators (Si, GaAs) with resistivities between 10−3 and 108 Ωcm were performed, using relatively flat bronze probes in connection with a measuring device, especially designed for handling very high contact resistances. A short description of the apparatus and results of reliability tests are presented. The existence of inversion layers with a thickness of 10 nm on etched silicon surfaces could be detected by means of four-point probe measurements. The range of resistivities which can be measured conveniently is estimated to be 10−4 to 109 Ωcm. Inhomogeneities in the bulk could be detected by means of measurements with current reversal. L'auteur traite des mesures de la résistivité de semi-conducteurs et de substances semi-isolantes (Si, GaAs) dans la gamme de 10−3 à 108 Ωcm. Les mesures ont été effectuées à l'aide de pointes en bronze, relativement plates et reliées à un appareillage qui fonctionnait avec précision même en présence d'une résistance très élevée aux contacts. L'appareil est brièvement décrit. Les résultats de mesures de test mettent en évidence la sécurité de fonctionnement du matériau. Des mesures effectuées à l'aide de 4 pointes ont permis de déceler la présence d'une couche d'inversion d'une épaisseur de 10 nm sur les surfaces de silicium chimiquement oxydées. La plage de résistivité où les mesures sont faciles à effectuer a été évaluée et est comprise entre 10−4 et 109 Ωcm. Des non homogénéités dans les volumes pouvaient être décelées à l'aide de mesures avec inversion de la polarité du courant d'essai. Es wurden Messungen des spezifischen Widerstandes an Halbleitern und halbisolierenden Materialien (Si, GaAs) im Bereich von 10−3 bis 108 Ωcm durchgeführt, wobei relativ flache Bronzesonden in Verbindung mit einer insbesondere auf die Beherrschung sehr hoher Übergangswiderstände ausgelegten Apparatur Anwendung fanden. Eine Kurzbeschreibung der Anlage und Ergebnisse von Testmessungen werden gebracht. An geätzten Siliziumoberflächen konnte die Existenz von Inversionsschichten mit einer Dicke von 10 nm durch Vierspitzen-Messungen nachgewiesen werden. Der Bereich, in dem mit der Apparatur bequem gemessen werden kann, wird abgeschätzt zu 10−4 bis 109 Ωcm. Inhomogenitäten im Volumen ließen sich durch Messungen mit Stromumpolung nachweisen." @default.
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