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• W2079302434 abstract "A simple theoretical method has been developed which gives the correct magnitude and form of the high electric field conduction anisotropies found experimentally in many-valley cubic semiconductors. This approach is applicable to any of the many-valley cubic semiconductors such as n-type Ge, Si, AlSb, GaAs, GaP, PbTe, and PbSe upon insertion of the appropriate parameters. A knowledge of the band structure and the assumption of randomizing scattering processes are used to calculate the longitudinal and transverse components of the current density as a function of crystallographic orientation. The results contain a phenomenological parameter which is determined by measuring j vs. E for a particular direction. The measurement of this parameter, which is dependent on temperature and carrier concentration, substitutes for a detailed calculation of the distribution function. On a développé une simple methode théorique qui donna la magnitude et forme correcte des anisotropes de conduction aux champs électriques élevés qui s'observent experimentalement dans les semi-conducteurs cubiques “multi-vallees”. Si l'on insert les paramètres propres cette methode peut s'appliquer à tous les semi-conducteurs de ce type tels que n-Ge, Si, AlSb, GaAs, GaP, PbTe, et PbSe. Savant la structure des bandes et présumant que la diffusion et chaotique, on peut caleuler les compsantes longitudinales et transverses de la densité du courant comme une fonction de l'orientation cristallographique. Dans ces résultats il y a un paramètre pas determiné qui l'on peut trouver par la mesure de la densité du courant comme une fonction du champ électrique dans une direction définie. Ce paramètre depend sur la température et la concentration des porteurs de l'électricité; par une mesure de ce paramètre on peut éviter une calculation compliquée de la fonction de distribution. Eine einfache theoretische Methode ist entwickelt worden, die die richtige Groesse und Form der in vieltaligen kubischen Halfkonduktoren experimentell zu findenden Konduktor-Anisotropen des hohen elektrischen Feldes ergibt. Beim Einsetzen des zustaendigen Parameters kann diese Methode fuer all der vieltaligen kubischen Halfkonduktoren so wie n-Type Ge, Si, GaAs, AlSb, GaP, GaSb, und PbSe benutzt werden. Wenn das Wissen der Bandstructur angewandt wird unter Voraussetzung der Zufallsstreuung koennen die Laengen- und Querkomponenten der Stromdichte als Funktion der kristallinen Orientierung berechnet werden. Die Resultate ergeben einen phaenomelogischen Parameter, der durch Messen von j gegen E fuer eine genaue Richtung bestimmt wird. Die Messung dieses Parameters, der vom Temperatur und Traegerkonzentration abhaengig ist, ersetst die eingehende Berechnung der Verteilungsfunktion." @default.
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