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• W2086783561 abstract "Photo and dark current and capacitance transient experiments are described which can provide highly accurate and unique data of the electronic properties of impurity centers in semiconductors such as energy level, multiplicity of charge state, thermal and optical emission rates, thermal capture rates, thermal and optical cross sections and the dependences of the rates and cross sections on sample temperature, static electric field and photon energy. These experiments are grouped into four categories in the discussion according to the temperature (below and above freeze-out or negligible and finite thermal rates) and presence or absence of optical excitation at the impurity center. Each category is subdivided into a number of cases according to the method used to set the initial charge state of the impurity center prior to the measurements. Methods of setting the initial state include electrical switching of the bias voltage and optical excitation using either interband or band to impurity monochromatic light. Experimental examples are given for many of the experiment methods discussed. On décrit des expériences avec des courants photoélectriques et de fuite ainsi que des capacités transitoires pour fournir des données très exactes des propriétés électroniques des centres d'impuretés des semiconducteurs. Ces propriétés comprennent: le niveau d'énergie, la multiplicité des états de charge, les taux d'émission optiques et thermiques, les surfaces transversales optiques et thermiques et les dépendances des surfaces transversales et taux d'emission en fonction de la température de l'échantillon, le champ électrique statique et l'énergie de photon. Ces expériences sont groupées dans la discussion en quatre catégorie d'après la température (au-dessous et au-dessus du dégel ou aux taux thermiques finis ou négligeables) et la présence ou absence d'excitation optique au centre d'impureté. Chaque catégorie est sous-divisée en un nombre de cas d'après la méthode employée pour fixer l'état de charge initial du centre d'impuretés avant les mesures. Les méthodes pour fixer l'état initial comprennent la commutation électrique de la tension de polarisation et l'excitation optique employant soit la lumière interbande ou la lumière à bande d'impureté monochrome. Des exemples expérimentaux sont donnés pour plusieurs des méthodes experimentales données. Photo- und Dunkelstrom sowie kapazitive Effekte werden beschrieben, die für Störstellen in Halbleitern sehr genaue Daten liefern über deren elektronische Eigenschaften wie Energieniveau, Multiplizität der Ladung, thermische und optische Emissionsraten, thermische Eingangsraten, thermische und optische Eingangsquerschnitte, sowie die Abhängigkeit der Übergangsraten und Wirkungsquerschnitte von Temperatur, statischen elektrischen Feldern und der Photonenenergie. Die Experimente werden in der Diskussion eingruppiert in vier Kategorien entsprechend einer Temperatur über oder unter dem Ausfrierpunkt bzw. vernachlässigbarer oder endlicher thermischer Raten und entsprechend der Existenz oder Nichtexistenz einer optischen Anregung beim Störzentrum. Jede Kategorie ist unterteilt in eine Anzahl von Fällen je nach der verwendeten Methode zur Festlegung des Ausgangszustandes der Ladung der Störstellen vor der Messung. Unter diesen Methoden sind aufgeführt, das An- und Abschalten einer elektrischen Vorspannung an der Probe und eine monochromatische optische Anregung durch Band- Band-und Band-Term-Übergänge. Für viele der diskutierten Bestimmungsmethoden werend experimentelle Beispiele angegeben." @default.
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