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- W2090061541 abstract "Le silicium amorphe, obtenu par decomposition du gaz silane SiH4 dans une decharge radio-frequence est un materiau ayant des proprietes tres proches de celles des semiconducteurs cristallins. La densite d'etats dans la bande interdite, sans etre nulle, est beaucoup plus faible que dans le silicium amorphe obtenu par evaporation ou pulverisation cathodique [l]. Il en resulte un materiau qui peut etre dope n ou p par substitution du phosphore ou du bore, et qui est extremement photoconducteur [2]. L'hydrogene obtenu dans la decomposition du SiH4 joue un role crucial dans la preparation du materiau, probablement par saturation des liaisons cassees lors de la deposition du silicium sur le substrat. Il en resulte une tres forte diminution du nombre de defauts ponctuels, seuls subsistants les defauts de desordre a grande distance produisant ainsi un materiau amorphe presque ideal [3]. Les proprietes de ce materiau, qui peut etre depose sur des grandes surfaces d'une maniere tres economique et avec lequel on peut faire tous les dispositifs des semiconducteurs dopes, permettent des applications extremement interessantes. En particulier, des prototypes de photodiodes ayant un rendement de conversion de la lumiere solaire de plus de 5 % ont deja ete obtenus [4]." @default.
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