FRINK Linked Data Fragments server

Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W2091591718> ?p ?o ?g. }

• W2091591718 endingPage "653" @default.
• W2091591718 startingPage "645" @default.
• W2091591718 abstract "Capacity measurements and cyclic voltammetry have been used to conduct a systematic investigation of the potential distribution at the semiconductor-organic electrolyte interface in the dark and under illumination with the n-type synthetic layered compounds MoS2, MoS2, and WSe2. From the obtained flat band potentials it could be concluded that the valence band edges vs. Ag/Ag+ are located in acetonitrile at ca. 1.0 V (MoS2), 0.7 V (MoSe2), and 0.4 V (WSe2). As theoretically expected, the oxidized component of redox systems with Fermi levels near or below the valence band edge can inject holes thus inducing an inverted region and generating a p-n junction in the solid. The cathodic current in the cyclic voltammograms of such redox systems occurs via hole injection with consecutive recombination of the injected holes while less oxidizing redox systems can only be reduced via the conduction band. — Since the semiconductors used in these experiments do not corrode in presence of a high surface concentration of holes, such a contact with an oxidizing redox electrolyte offers most favourable conditions for the application in a photoelectrochemical solar cell. The inversion layer has a maximal band bending and promises to obtain the highest possible photovoltage, which is however limited by the width of the band gap. Mit Hilfe von Kapazitätsmessungen und zyklischer Voltametrie wurde die Potentialverteilung an der Grenzfläche Halbleiter/organischer Elektrolyt im Dunkeln und unter Belichtung untersucht. Aus der Lage der Flachbandpotentiale synthetischer Schichtgitterkristalle von MoS2, MoSe2 und WSe2 in Acetonitril-Elektrolyten konnten die Lagen der Valenzbandkanten ermittelt werden. Sie liegen bei 1,0 V (MoS2), 0,7 V (MoSe2) und 0,4 V (WSe2) gegenüber einer Ag/Ag+-Elektrode in Acetonitril. Entsprechend der theoretischen Erwartung können Redoxsysteme mit Fermi-Niveaus nahe oder unterhalb der Valenzbandkante Defektelektronen in der Oberfläche dieser Halbleiter injizieren. Dadurch entsteht eine Inversionsschicht und somit ein p-n-Übergang im Festkörper. Der kathodische Strom in den zyklischen Voltamogrammen mit solchen Redoxsystemen erfolgt durch Injektion von Defektelektronen, wonach diese in der Inversionsschicht mit Elektronen rekombinieren. Dagegen können weniger oxidierende Redoxsysteme nur über das Leitungsband reduziert werden. — Die Halbleiter, die hier untersucht wurden, korrodieren in diesem Medium nicht, obwohl die Oberfläche stark p-leitend ist. Solch ein Kontakt mit einem oxidierenden Redoxsystem bietet daher besonders günstige Voraussetzungen für die Verwendung in photoelektrochemischen Solarzellen. Die Inversionsschicht besitzt eine maximale Bandverbiegung und führt daher zur Erzeugung der größtmöglichen Photospannung, die allerdings durch die Weite der Bandlücke begrenzt wird." @default.
• W2091591718 created "2016-06-24" @default.
• W2091591718 creator A5079644634 @default.
• W2091591718 creator A5086270334 @default.
• W2091591718 date "1980-07-01" @default.
• W2091591718 modified "2023-09-26" @default.
• W2091591718 title "Photoelectrochemical Reactions and Formation of Inversion Layers at n-Type MoS2-, MoSe2-, and WSe2-Electrodes in Aprotic Solvents" @default.
• W2091591718 cites W17850123 @default.
• W2091591718 cites W1985880526 @default.
• W2091591718 cites W1987237639 @default.
• W2091591718 cites W1995662596 @default.
• W2091591718 cites W2001758466 @default.
• W2091591718 cites W2006999054 @default.
• W2091591718 cites W2032504834 @default.
• W2091591718 cites W2034050716 @default.
• W2091591718 cites W2037707774 @default.
• W2091591718 cites W2039730104 @default.
• W2091591718 cites W2042598451 @default.
• W2091591718 cites W2044658463 @default.
• W2091591718 cites W2055279519 @default.
• W2091591718 cites W2072557120 @default.
• W2091591718 cites W2077333243 @default.
• W2091591718 cites W2089196996 @default.
• W2091591718 cites W2125340968 @default.
• W2091591718 cites W2135350133 @default.
• W2091591718 cites W2163309185 @default.
• W2091591718 cites W2328157261 @default.
• W2091591718 cites W2328591207 @default.
• W2091591718 cites W2331940031 @default.
• W2091591718 cites W2949539574 @default.
• W2091591718 cites W3005512649 @default.
• W2091591718 cites W35201755 @default.
• W2091591718 cites W4214531572 @default.
• W2091591718 cites W4238620700 @default.
• W2091591718 cites W4241042571 @default.
• W2091591718 doi "https://doi.org/10.1002/bbpc.19800840708" @default.
• W2091591718 hasPublicationYear "1980" @default.
• W2091591718 type Work @default.
• W2091591718 sameAs 2091591718 @default.
• W2091591718 citedByCount "76" @default.
• W2091591718 countsByYear W20915917182013 @default.
• W2091591718 countsByYear W20915917182014 @default.
• W2091591718 countsByYear W20915917182016 @default.
• W2091591718 countsByYear W20915917182017 @default.
• W2091591718 countsByYear W20915917182018 @default.
• W2091591718 countsByYear W20915917182019 @default.
• W2091591718 countsByYear W20915917182020 @default.
• W2091591718 countsByYear W20915917182022 @default.
• W2091591718 crossrefType "journal-article" @default.
• W2091591718 hasAuthorship W2091591718A5079644634 @default.
• W2091591718 hasAuthorship W2091591718A5086270334 @default.
• W2091591718 hasConcept C108225325 @default.
• W2091591718 hasConcept C113196181 @default.
• W2091591718 hasConcept C147789679 @default.
• W2091591718 hasConcept C17525397 @default.
• W2091591718 hasConcept C178790620 @default.
• W2091591718 hasConcept C179104552 @default.
• W2091591718 hasConcept C181966813 @default.
• W2091591718 hasConcept C185592680 @default.
• W2091591718 hasConcept C19181183 @default.
• W2091591718 hasConcept C192562407 @default.
• W2091591718 hasConcept C20744434 @default.
• W2091591718 hasConcept C2777463227 @default.
• W2091591718 hasConcept C2777869211 @default.
• W2091591718 hasConcept C2777959998 @default.
• W2091591718 hasConcept C49040817 @default.
• W2091591718 hasConcept C52859227 @default.
• W2091591718 hasConcept C55904794 @default.
• W2091591718 hasConcept C68801617 @default.
• W2091591718 hasConcept C77176794 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C108225325 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C113196181 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C147789679 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C17525397 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C178790620 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C179104552 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C181966813 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C185592680 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C19181183 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C192562407 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C20744434 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C2777463227 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C2777869211 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C2777959998 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C49040817 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C52859227 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C55904794 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C68801617 @default.
• W2091591718 hasConceptScore W2091591718C77176794 @default.
• W2091591718 hasIssue "7" @default.
• W2091591718 hasLocation W20915917181 @default.
• W2091591718 hasOpenAccess W2091591718 @default.
• W2091591718 hasPrimaryLocation W20915917181 @default.
• W2091591718 hasRelatedWork W1847693359 @default.
• W2091591718 hasRelatedWork W1965815890 @default.
• W2091591718 hasRelatedWork W2013430695 @default.
• W2091591718 hasRelatedWork W2025116971 @default.
• W2091591718 hasRelatedWork W2029549895 @default.

• next