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- W2091736009 abstract "It is shown that measurements of thermally stimulated depolarization (TSD) are a quick and convenient method of determining the sign of the majority carriers in high-resistivity semiconductors. In case of direct contacts between the electrodes and the semi-insulating sample, the existence of a blocking transition region is a prerequisite for the measurement of a bulk-conductivity-determined TSD current. Only in a reverse-biased depletion layer the accumulation of a relatively stable space charge is possible. If correspondingly the material in question is supplied with one blocking and one non-blocking electrode, the conduction type can be derived from the polarity of the polarizing voltage. By means of TSD measurements, low contact resistances and small rectifying effects can be detected. Experimental investigations of the system Al–As2Se3–Au prove that amorphous As2Se3 is a hole-conducting material near room temperature with a Fermi level situated nearer to the valence band than to the conduction band. Es wird gezeigt, daß Messungen der thermisch stimulierten Depolarisation (TSD) eine schnelle und bequeme Methode darstellen, um das Vorzeichen der Majoritätsladungsträger in hochohmigen Halbleitern zu bestimmen. Im Falle eines direkten Kontaktes der Elektroden mit der zu untersuchenden nahezu isolierenden Halbleiterprobe ist die Existenz einer blockierenden Randschicht eine Voraussetzung für das Auftreten eines von der Volumenleitfähigkeit abhängigen TSD-Stromes. Nur in einer in Sperrichtung gepolten Verarmungsrandschicht ist die Akkumulation einer relativ stabilen Raumladung möglich. Wenn man dementsprechend das zu untersuchende Material mit einer blockierenden und einer nichtblockierenden Elektrode versieht, so kann man aus der Polarität der Polarisationsspannung leicht auf den Leitungstyp schließen. Mit Hilfe von TSD-Messungen lassen sich noch sehr kleine Kontaktwiderstände und sehr geringe Gleichrichtereffekte nachweisen. Experimentelle Untersuchungen am System Al–As2Se3–Au bestätigen, daß amorphes As2Se3 nahe Zimmertemperatur ein Defektelektronenleiter ist, in dem der Abstand des Ferminiveaus zum Valenzband geringer als zum Leitungsband ist." @default.
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