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• W2092770147 abstract "The method of thermally stimulated conductivity (TSC) is applied to the study of electron and hole traps in synthetic single crystalline Al2O3 from various sources with 100 keV X-rays being used to populate the trapping states in the crystals. Samples from a given source had a characteristic TSC spectrum but there is considerable variation among the various sources with only a peak at 273 K being common to all samples. Optical bleaching and optical trap repopulation techniques are combined with the TSC studies to aid in center identification. Once a sample is exposed to X-rays the repopulation of some of the traps with low energy photons becomes possible and sequential thermal and optical stimulation may be used to cycle carriers between the deep and shallow levels without additional X-irradiation for several weeks. A tentative assignment is made of the observed TSC peaks to known lattice defects. The importance of these defects in silicon on sapphire microelectronics technology is briefly discussed. Die Methode der Glowkurven (TSC) wird benutzt, um Elektronen- und Löchertraps in synthetischen Einkristallen von Al2O3 aus verschiedenen Quellen zu untersuchen, wobei 100 keV-Röntgenstrahlen benutzt werden, um die Haftniveaus in diesen Kristallen zu besetzen. Zu einer Quelle gehörende Proben besitzen ein charakteristisches TSC-Spektrum, es existieren jedoch beträchtliche Unterschiede zwischen den Proben aus verschiedenen Quellen, wobei nur ein Maximum bei 273 K allen Proben gemeinsam ist. Optisches Bleichen und optische Umbesetzung der Haftstellen werden mit den TSC-Untersuchungen kombiniert, um eine Identifizierung der Zentren zu erreichen. Wenn eine Probe mit Röntgenstrahlen bestrahlt wird, wird die Umbesetzung einiger Haftstellen mit Photonen niedriger Energie möglich und darauffolgende thermische und optische Anregung kann benutzt werden, um Ladungsträger zyklisch zwischen tiefen und flachen Niveaus ohne zusätzliche Röntgenstrahlung einige Wochen lang auszutauschen. Eine vorläufige Zuordnung der beobachteten TSC-Maxima zu bekannten Gitterdefekten wird versucht. Die Bedeutung dieser Defekte in der Silizium-auf-Saphir-Mikroelektroniktechnologie wird kurz diskutiert." @default.
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