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• W2108593897 abstract "Self- and gold-impurity diffusion measurements over the temperature range 850 to 1265 K are made on platinum single crystals using 197Pt and 199Au as radioactive diffusants and ion-beam sputtering as a sectioning technique. Gaussian penetration profiles are observed for well-annealed crystals. The influence of plastic deformation on the penetration curve is investigated and found to be considerable. The diffusivities obtained from well-annealed crystals fit the Arrhenius relations DPt = 0.05 exp (−2.67 eV/kT) cm2 s−1 for Pt self-diffusion and DAu = 0.13 exp (−2.61 eV/kT) cm2 s−1 for diffusion of Au in Pt. In conjunction with the high-temperature data of Kidson and Ross the present self-diffusion data are analysed in terms of mono- and divacancy contributions. For the sum of the enthalpy of formation and motion of a single vacancy a best value of 2.69 eV is deduced. The present Au-data close a gap since bulk diffusion measurements of Au in Pt are not available in the literature. Diffusion in the PtAu-system is important in semiconductor technology because of the frequent use of PtAu metallizations. Messungen der Diffusion von 197Pt und 199Au in Platineinkristallen werden im Temperaturbereich von 850 bis 1265 K mit Hilfe der Ionenstrahlzerstäubung als Schichtabtragetechnik durchgeführt. An gut ausgeglühten Kristallen werden Gaußsche Eindringprofile beobachtet. Der Einfluß plastischer verformung auf die Eindringkurve wird untersucht und erweist sich als beträchtlich. Die Diffusionskoeffizienten der gut ausgeglühten Kristalle werden durch die Arrhenius-Beziehungen DPt = 0,05 exp (−2,67 eV/kT) cm2 s−1 bei der Selbstdiffusion von Pt und DAu = 0,13 exp (−2,61 eV/kT) cm2 s−1 bei der Diffusion von Au in Pt beschrieben. In Verbindung mit den Hochtemperaturdaten von Kidson und Ross werden die Selbstdiffusionsdaten im Hinblick auf Einfach- und Doppelleerstellenanteile analysiert. Dabei ergibt sich für die Summe aus Bildungs- und Wanderungsenthalpie der Einfachleerstelle ein bester Wert von 2,69 eV. Die Golddaten dieser Arbeit schließen eine Lücke, da Messungen der Volumendiffusion von Au in Pt in der Literatur nicht vorhanden sind. Die Diffusion im PtAu-System ist in der Halbleitertechnologie von Bedeutung wegen der häufigen Verwendung von PtAu-Metallisierungen." @default.
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