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- W2158796005 abstract "The application of Pt or Pd silicides in silicon device technologies stimulated interest in the crystallography and kinetics of compound formation between thin films of Pt or Pd and bulk Si. Electron transmission observations of PtSi diffusion couples showed that three compounds were formed during diffusion: Pt3Si, Pt2Si, and PtSi. The Pt3Si compound formed initially, followed by the formation of Pt2Si and PtSi. The Pt3Si compound disappeared as diffusion proceeded. The resulting film was found to be a two phase mixture of approximately 35 to 40% Pt2Si and remainder PtSi. Long time annealing at 650 °C resulted in no detectable changes from the two phase mixture. In PdSi diffusion couples the dominant phase is Pd2Si with only small amounts of PdSi formed after vacuum annealing. In both cases it was concluded that the transformation to the PdSi or PtSi compound is determined by the kinetics of the transformation mechanism and not by the thermodynamic stability. Für die Anwendung von Platin- oder Palladium-Siliziden in Silizium-Bauelementen ist die Untersuchung der Struktur und der Kinetick der Verbindungsbildung zwischen dünnen Schichten von Platin oder Palladium und dickem Silizium von Interesse. Mit Hilfe von Elektronenbeugung und Elektronenmikroskopie von PtSi-Proben konnte gezeigt werden, daß drei Verbindungen, Pt3Si, Pt2Si und PtSi, während des Diffusionsprozesses gebildet werden. Die Pt3Si-Phase wird im Anfangsstadium der Diffusionsprozesse gebildet, bei weiterem Tempern wird die Pt3Si-Phase abgebaut, während die Pt2Si- und PtSi-Verbindungen auftreten. Die resultierende Schicht besteht aus ungefähr 35 bis 40% Pt2Si und 60 bis 65% PtSi. Langes nachträgliches Tempern bei 650 °C verursachte keine Änderung des Volumenverhältnisses der zwei Phasen. Im Falle von Pd-Si-Proben wurde die Pd2Si-Verbindung als vorherrschende Phase gefunden. Die PdSi-Verbindung war nur in Spuren als Folge des Temperns im Vakuum vorhanden. Daraus kann geschlossen werden, daß in beiden Fällen die Umwandlung in die PtSi- oder PdSi-Verbindung durch die Kinetick des Umwandlungsmechanismus und nicht durch thermodynamische Stabilität bestimmt ist." @default.
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