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• W2165113973 abstract "The results of optical absorption, luminescence, and temperature-dependent Hall-effect measurements on GaAs: V, p-type GaAs: V: Zn, and n-type GaAs: V:Si grown by LEC-technique are reported. It is found that the V ground state is located very close to or within the valence band and that the V acceptor level is at Ec − 0.14 eV. The near mid-gap level in GaAs: V responsible for its semi-insulating behaviour is proposed to be due to the complex (V- X), where the correlation between the photoionization absorption connected with this centre and the EL2 concentration suggests that X is an arsenic vacancy. From this level scheme conditions for growing GaAs: V which is semi-insulating at room temperature are derived. The optical experiments on GaAs: V with different Fermi-level positions confirm the assignment of the triple-peaked absorption band at 1.1 eV to the 3A2 → 3T1(F) transition of V. The weak absorption due to the 3A2 → 3T2(F) transition is found at 0.79 eV. The analysis of the temperature dependence of the line shape of the → 3T1(F) absorption band as due to strong dynamical T ⊗ τ2 Jahn-Teller effect provides the JT-parameters EJT = 780 cm−1, hωτ = 75 cm−1, and c = 4.7 eV/nm. The temperature dependent asymmetry of the line shape is explained on the basis of earlier theoretical predictions of the simultaneous action of strong linear and quadratic JT-coupling. Die Ergebnisse der Messungen der optischen Absorption, der Lumineszenz und des temperatur-abhängigen Hall-Effekts an GaAs: V, p-leitendem GaAs: V: Zn und n-leitendem GaAs: V: Si werden mitgeteilt. Es wird gefunden, daß der Grundzustand des V3+Ga sehr nahe oder innerhalb des Valenzbandes liegt und daß das V-Akzeptorniveau sich bei Ec − 0,14 eV befindet. Das für das semiisolierende Verhalten verantwortliche Niveau in der Mitte des Gaps wird durch den Komplex (V–X) verursacht, wobei die Korrelation zwischen der mit diesem Zentrum verbundenen Photoionisationsabsorption und der EL2-Konzentration nahelegt, daß X eine Arsenlücke ist. Daraus werden die Bedingungen für die Züchtung von GaAs: V abgeleitet, das auch bei Raumtemperatur semiisolierend ist. Die optischen Experimente an GaAs: V mit verschiedenen Lagen des Fermi-Niveaus bestätigen die Zuordnung der Absorptionsbande bei 1,1 eV zum 3A2 → 3T1(F)-Übergang des (V). Die schwache Absorption durch den 3A2 → 3T2(F)-Übergang wird bei 0,79 eV gefunden. Die Analyse der Temperaturabhängigkeit der Linienform der → 3T1(F)-Absorption, die durch einen starken dynamischen T ⊗ τ2-Jahn-Teller-Effekt verursacht wird, liefert die JT-Parameter EJT = 780 cm−1, ħωτ = 75 cm−1 und c = 4,7 eV/nm. Die temperaturabhängige Asymmetrie der Linienform wird auf der Grundlage früherer theoretischer Voraussagen über das gleichzeitige Wirken einer starken linearen und quadratischen JT-Kopplung erklärt." @default.
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