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- W2187050002 abstract "Aus Ga-GaAs-Si-Schmelzen wurden Si-dotierte GaAs-Schichten mit p-n-Ubergangen auf (100)-orientierte n-dotierte GaAs-Substrate abgeschieden. Die Si-Konzentration in der Schmelze betrug 1 Atom%. Die fur das Wachstum und die Eigenschaften entscheidenden Grosen — Temperatur und Abkuhlgeschwindigkeit der Schmelze — wurden variiert, und ihr Einflus auf die Dicken der gewachsenen n- und p-Schichten wurde untersucht." @default.
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