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- W2223787461 abstract "Nos utilizamos espectroscopia Raman para estudar a dinâmica de rede de heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge, tanto experimental quanto teoricamente. Foi feito um estudo de uma ampla regiao espectral, (de ~ 2 cm-1 ate 600 cm-1), que inclui fonons acusticos dobrados, fonons de interface, e fonons opticos confinados. Nos utilizamos varios sistemas experimentais: um sistema usual, um sistema de alta resolucao, e um sistema de micro-Raman. Pelo lado teorico, nos aplicamos o modelo da cadeia linear unidimensional, com interacao de ate segundos vizinhos, e usamos o modelo bond-polarizability para simular os espectros Raman. Uma analise fenomenologica nos permitiu verificar a presenca de rugosidade de larga escala (terracos) nas interfaces de nossas amostras. Medidas de espalhamento Raman ressonante tambem foram feitas para os fonons opticos de nossas microestruturas. Uma analise quantitativa da secao de choque Raman do pico originado nas vibracoes confinadas Ge-Ge, permitiu-nos acompanhar as transicoes opticas dos excitons confinados em cada terraco. Esta analise favorece nossas interpretacoes anteriores a respeito desta transicao, que a relaciona a transicoes do tipo E1 do Ge bulk Abstract" @default.
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