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- W2241902316 abstract "A eficiencia quântica de luminescencia h em ligas de silicio-carbono amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) a baixa temperatura diminui com o aumento da concentracao de carbono para amostras com menos de 25 % de carbono. A partir dai hpassa a aumentar com o aumento da concentracao de carbono e sua dependencia com a temperatura diminui. O objetivo deste trabalho e entender os processos de recompilacao presentes em a-Si1-xCx:H. Foram feitas medidas de fotoluminescencia resolvida no tempo variando-se a temperatura entre 17 K e 300 K. As amostras utilizadas foram preparadas por PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) de misturas iH4/CH4 no regime de baixa potencia de radio-frequencia. Como no a-Si:H, o decaimento da PL em a-Si1-xCx:H nao e exponencial, podendo ser descrito como uma distribuicao de tempos de vida. As amostras com baixa concentracao de carbono ( 25 %), apresentam dois picos na distribuicao de tempos de vida. O pico mais lento comporta-se qualitativamente da mesma forma que o pico presente nas amostras com menos de 25 % de carbono. A posicao do pico mais rapido ( ~10-8s) praticamente nao depende da temperatura. Nestas amostras os dois dependem pouco da concentracao de carbono. O comportamento do tempo de vida de PL nas amostras com menos de 25 % de carbono e do pico mais lento das amostras com mais de 25 % de carbono pode ser explicado pelo modelo aceito para o a-Si:H. O pico rapido que aparece nas amostras com mais de 25 % de carbono e descrito por outro mecanismo de recompilacao. Este mecanismo esta provavelmente associado com funcoes de onda de eletron e buraco coincidentes no espaco, que podem ser originadas por flutuacoes anti-paralelas de potencial de curto alcance. Estas flutuacoes sao fortalecidas quando a concentracao de carbono aumenta.Ab" @default.
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