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- W2300901271 abstract "Nos travaux concernent la modelisation des structures MOS affectees par des defauts qui deteriorent leurs proprietes electriques et par consequent celles des dispositifs memoires. Nous avons attache une grande importance a la comprehension des phenomenes lies a la miniaturisation de la capacite et du transistor MOS qui sont les composants electroniques elementaires des memoires. Nos modeles bases sur de nombreuses etudes realisees sur ces sujets, representent de nouveaux outils d'analyses pour creer les modeles de base decrivant le fonctionnement plus complexe des dispositifs memoires. Apres un rappel des notations et des equations de base utilisees pour les capacites MOS et les transistors MOS, nous retracons l'evolution des dispositifs memoires jusqu'aux memoires a nanocristaux. Dans une deuxieme partie de notre travail, nous decrivons les differentes modelisations de la capacite MOS developpees en fonction de l'effet parasite considere : la poly-desertion de la grille, la non uniformite du dopage du substrat, de l‘epaisseur d'oxyde et des charges fixes presentes dans la couche d'isolant. Nous avons ainsi pu proposer une methode de determination de la repartition de la charge generee dans l'oxyde par des stress electriques ainsi qu'une analyse de l'origine de ces charges. La troisieme partie est consacree aux modelisations du transistor MOS basees sur une approche segmentee. Celle-ci a ete appliquee a l'etude des resistances series et aux modelisations des dopages (grille et substrat), puis etendue a la modelisation des transistors a isolants ultra-minces. Nous presentons notamment les modifications de la caracteristique IDS(VGS,VDS) du transistor MOS induites par les non uniformites enumerees ci-dessus. Enfin, nous appliquons nos modeles aux memoires a nanocristaux de silicium. Nous proposons une modelisation de la charge localisee dans les nodules proches du drain, ce qui nous a permis de developper un modele simulant l'operation d'ecriture de ces memoires. Les caracterisations electriques de ces structures a piegeages discrets sont egalement analysees a l'aide de nos modeles." @default.
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