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- W23593152 abstract "Dans un contexte energetique mondial difficile, l'amelioration de la gestion de l'energie electrique revet une importance majeure. Le transfert de cette energie electrique est assure par l'intermediaire de systemes de puissances integrant majoritairement des composants semi-conducteurs de puissance. La demarche d'optimisation entreprise depuis plusieurs annees s'est concentree sur la reduction des pertes en conduction. Dans ce cadre, les performances des transistors MOSFET sont exprimees par le compromis tenue en tension (BVdss) / resistance a l'etat passant (RON.S) . Pour ameliorer ce compromis, des concepts innovants telles que les Superjonctions ou les ilots flottants ont ete developpees sur silicium, permettant notamment de reduire drastiquement la resistance a l'etat passant. Les travaux de recherche presentes dans cette these portent sur la realisation d'un transistor FLYMOS integrant jusqu'a deux niveaux d'ilots flottants de type P dans la region epitaxiee N-. Pour la premiere fois, la forme et les dimensions des ilots flottants ont ete determinees a l'aide d'une caracterisation physique originale. De plus, les limites du FLYMOS ont pu etre definies a l'aide de caracterisations electriques dynamiques. Grâce a ces premieres etudes, la comprehension phenomenologique de fonctionnement de ce type de composant a permis le developpement d'un processus d'optimisation. Ainsi, des transistors FLYMOS d'une tenue en tension de 230 V ont ete realises avec succes et leur resistance specifique a l'etat passant de 4,5 m?.cm2 se revele inferieure a la limite conventionnelle du silicium. Au final, la caracterisation electrique complete de ces composants a permis de montrer qu'ils etaient une bonne alternative aux composants 200 V a Superjonction." @default.
- W23593152 created "2016-06-24" @default.
- W23593152 creator A5015446546 @default.
- W23593152 date "2008-06-23" @default.
- W23593152 modified "2023-09-25" @default.
- W23593152 title "Conception d'une nouvelle génération de transistor FLYMOS vertical de puissance dépassant la limite conventionnelle du silicium" @default.
- W23593152 hasPublicationYear "2008" @default.
- W23593152 type Work @default.
- W23593152 sameAs 23593152 @default.
- W23593152 citedByCount "0" @default.
- W23593152 crossrefType "dissertation" @default.
- W23593152 hasAuthorship W23593152A5015446546 @default.
- W23593152 hasConcept C121332964 @default.
- W23593152 hasConcept C138885662 @default.
- W23593152 hasConcept C15708023 @default.
- W23593152 hasConceptScore W23593152C121332964 @default.
- W23593152 hasConceptScore W23593152C138885662 @default.
- W23593152 hasConceptScore W23593152C15708023 @default.
- W23593152 hasLocation W235931521 @default.
- W23593152 hasOpenAccess W23593152 @default.
- W23593152 hasPrimaryLocation W235931521 @default.
- W23593152 isParatext "false" @default.
- W23593152 isRetracted "false" @default.
- W23593152 magId "23593152" @default.
- W23593152 workType "dissertation" @default.