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- W2715703722 abstract "Ce papier decrit un procede technologique faible cout capable d'integrer, directement sur une puce active et en une seule etape de croissance electrolytique, des interconnexions et des inductances 3D multi-niveaux tres faibles pertes. Ce procede apparait aussi adapte a l'interconnexion de puces pour des applications du type System in Package - SiP . Il s'appuie sur l'utilisation des resines polymeres SU-8 et BPN ainsi que sur un procede d'electrodeposition de cuivre, optimise pour realiser des metallisations 3D. Pour demontrer les potentialites de ce procede, des inductances a fort coefficient de surtension (58 @ 5 GHz) ont ete integrees en dessus d'un transistor LDMOS de puissance. De meme, des puces MMIC ont ete interconnectees en integrant simultanement des passifs inductifs." @default.
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