FRINK Linked Data Fragments server

Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W2742489417> ?p ?o ?g. }

• W2742489417 abstract "In den letzten Jahren gibt es groses Interesse am SiGeSn Materialsystem aufgrund seines Potentials fur die Verwendung in der Optoelektronik, Elektronik und Photovoltaik. Wahrend jedoch die binaren Verbindungshalbleiter Si(x)Ge(1-x) und Ge(1-y)Sn(y) schon intensiv untersucht wurden, sind die Materialeigenschaften des ternaren Verbindungshalbleiters Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) und Nanostrukturen basierend auf diesem Verbindungshalbleiter noch weitgehend unbekannt. In dieser Arbeit werden drei theoretische/theoretisch-experimentelle Studien zur Untersuchung des SiGeSn Materialsystems vorgestellt.In einer Studie wird die Abhangigkeit der Grose der direkten Bandlucke von der Zusammensetzung des Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) Verbindungshalbleiters untersucht. Basierend auf Messungen der Rutherford Ruckstreuung, Rontgenbeugung und Photolumineszenz (PL) von Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) Proben mit an Ge angepassten Gitterkonstanten wird die Abhangigkeit von Grose der direkten Bandlucke und der Materialkomposition mit einer quadratischen Gleichung beschrieben.Weiterhin wird die Bandanordnung der elementaren Halbleiter Si, Ge und Sn an Grenzflachen untersucht. Anhand von Kohn-Sham basierter Density Functional Theory (DFT) in Kombination mit Local Density Approximation (LDA) berechneten Bandstrukturen von Grenzflachen zwischen Elementarhalbleitern wird der Versatz im Valenzband zwischen Si, Ge und Sn untersucht. Es wird gezeigt, dass aufgrund zu kleiner Bandlucken resultierend aus dem Kohn-Sham-Ansatz in Verbindung mit der LDA ein unphysikalischer „Broken Gap“ Versatz zwischen Ge und Sn Bandern entsteht.In einer dritten Studie werden die PL-Spektren von Ge Quantentopfen mit Si Barrieren untersucht. Um die Abhangigkeit der PL-Spektren von Anregungsintensitat und Temperatur zu verstehen, wird ein selbstkonsistentes Effektives-Massen-Model entwickelt. Mit diesem Model ist es moglich den Einfluss von Temperatur und Bandauffullung auf das PL-Spektrum zu untersuchen.%%%%The SiGeSn semiconductor material system has recently attracted great interest due to its prospective potential for use in optoelectronics, electronics, and photovoltaics. While the binary alloy Si(x)Ge(1-x) and Ge(1-y)Sn(y) have already been well studied, the properties of bulk and heterostructures involving the Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) ternary alloy are largely unknown. In this thesis, we present the results of three theoretical/experimental-theoretical investigations concerning the SiGeSn material system.First, we investigate the compositional dependence of the direct band-gap of Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) alloys. Based on Rutherford backscattering, x-ray diffraction, and photoluminescence (PL) measurement of Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) alloys lattice-matched to Ge, we describe the compositional dependence of the band gap using a quadratic equation. We predict Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) alloys lattice-matched to Ge to be direct-band-gap semiconductors for Sn concentrations larger than 12%.Secondly, we investigate the band alignment between the elemental semiconductors Si, Ge, and Sn. Performing bulk…" @default.
• W2742489417 created "2017-08-17" @default.
• W2742489417 creator A5074842557 @default.
• W2742489417 date "2017-08-10" @default.
• W2742489417 modified "2023-09-27" @default.
• W2742489417 title "Modeling of SiGeSn-based semiconductor heterostructures for optoelectronic applications" @default.
• W2742489417 doi "https://doi.org/10.18452/18139" @default.
• W2742489417 hasPublicationYear "2017" @default.
• W2742489417 type Work @default.
• W2742489417 sameAs 2742489417 @default.
• W2742489417 citedByCount "0" @default.
• W2742489417 crossrefType "dissertation" @default.
• W2742489417 hasAuthorship W2742489417A5074842557 @default.
• W2742489417 hasConcept C121332964 @default.
• W2742489417 hasConcept C185592680 @default.
• W2742489417 hasConcept C26873012 @default.
• W2742489417 hasConcept C79794668 @default.
• W2742489417 hasConcept C8010536 @default.
• W2742489417 hasConceptScore W2742489417C121332964 @default.
• W2742489417 hasConceptScore W2742489417C185592680 @default.
• W2742489417 hasConceptScore W2742489417C26873012 @default.
• W2742489417 hasConceptScore W2742489417C79794668 @default.
• W2742489417 hasConceptScore W2742489417C8010536 @default.
• W2742489417 hasLocation W27424894171 @default.
• W2742489417 hasOpenAccess W2742489417 @default.
• W2742489417 hasPrimaryLocation W27424894171 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W1496662613 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W1963712757 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W1968035685 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W1968542951 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W1971919231 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W1989323796 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2014748890 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2024910249 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2041000822 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2046470232 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2056017432 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2064913307 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2081339373 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2081881923 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2083596457 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2142871214 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2171233755 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2441503596 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W2949898117 @default.
• W2742489417 hasRelatedWork W3008948734 @default.
• W2742489417 isParatext "false" @default.
• W2742489417 isRetracted "false" @default.
• W2742489417 magId "2742489417" @default.
• W2742489417 workType "dissertation" @default.