FRINK Linked Data Fragments server

Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W2766265975> ?p ?o ?g. }

• W2766265975 endingPage "110312" @default.
• W2766265975 startingPage "110312" @default.
• W2766265975 abstract "As the first step toward understanding the electrical properties of SiO2/GaN systems, the interface was characterized using high-resolution scanning transmission electron microscopy (STEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). An epitaxial crystalline intermediate layer with a thickness of ~1.5 nm was observed at the SiO2/GaN interface. STEM-EDS analyses revealed that this intermediate layer contained gallium and oxygen and mostly comprised the e-Ga2O3 phase. The e-Ga2O3/GaN interface was atomically smooth and free from misfit dislocations despite lattice mismatch of ~8.0%, suggesting that the initial oxidation of GaN surfaces is crucial to achieve good interfacial properties." @default.
• W2766265975 created "2017-11-10" @default.
• W2766265975 creator A5008079502 @default.
• W2766265975 creator A5013335201 @default.
• W2766265975 creator A5013376841 @default.
• W2766265975 creator A5039343762 @default.
• W2766265975 creator A5042373462 @default.
• W2766265975 creator A5047093800 @default.
• W2766265975 creator A5047520054 @default.
• W2766265975 creator A5051814872 @default.
• W2766265975 creator A5070528860 @default.
• W2766265975 creator A5090026114 @default.
• W2766265975 creator A5090048793 @default.
• W2766265975 date "2017-10-23" @default.
• W2766265975 modified "2023-10-16" @default.
• W2766265975 title "Electron microscopy studies of the intermediate layers at the SiO₂/GaN interface" @default.
• W2766265975 cites W1647014657 @default.
• W2766265975 cites W1670023571 @default.
• W2766265975 cites W1970014398 @default.
• W2766265975 cites W1970025391 @default.
• W2766265975 cites W1987054511 @default.
• W2766265975 cites W1992208768 @default.
• W2766265975 cites W2005721487 @default.
• W2766265975 cites W2012455562 @default.
• W2766265975 cites W2015532159 @default.
• W2766265975 cites W2028056984 @default.
• W2766265975 cites W2029354491 @default.
• W2766265975 cites W2043519365 @default.
• W2766265975 cites W2054983408 @default.
• W2766265975 cites W2081885497 @default.
• W2766265975 cites W2082669868 @default.
• W2766265975 cites W2153221641 @default.
• W2766265975 cites W2154349035 @default.
• W2766265975 cites W2288699583 @default.
• W2766265975 cites W2522447410 @default.
• W2766265975 cites W2576122166 @default.
• W2766265975 cites W2584386114 @default.
• W2766265975 cites W2726649019 @default.
• W2766265975 cites W2753460681 @default.
• W2766265975 doi "https://doi.org/10.7567/jjap.56.110312" @default.
• W2766265975 hasPublicationYear "2017" @default.
• W2766265975 type Work @default.
• W2766265975 sameAs 2766265975 @default.
• W2766265975 citedByCount "26" @default.
• W2766265975 countsByYear W27662659752018 @default.
• W2766265975 countsByYear W27662659752019 @default.
• W2766265975 countsByYear W27662659752020 @default.
• W2766265975 countsByYear W27662659752021 @default.
• W2766265975 countsByYear W27662659752022 @default.
• W2766265975 countsByYear W27662659752023 @default.
• W2766265975 crossrefType "journal-article" @default.
• W2766265975 hasAuthorship W2766265975A5008079502 @default.
• W2766265975 hasAuthorship W2766265975A5013335201 @default.
• W2766265975 hasAuthorship W2766265975A5013376841 @default.
• W2766265975 hasAuthorship W2766265975A5039343762 @default.
• W2766265975 hasAuthorship W2766265975A5042373462 @default.
• W2766265975 hasAuthorship W2766265975A5047093800 @default.
• W2766265975 hasAuthorship W2766265975A5047520054 @default.
• W2766265975 hasAuthorship W2766265975A5051814872 @default.
• W2766265975 hasAuthorship W2766265975A5070528860 @default.
• W2766265975 hasAuthorship W2766265975A5090026114 @default.
• W2766265975 hasAuthorship W2766265975A5090048793 @default.
• W2766265975 hasConcept C113843644 @default.
• W2766265975 hasConcept C120665830 @default.
• W2766265975 hasConcept C121332964 @default.
• W2766265975 hasConcept C147080431 @default.
• W2766265975 hasConcept C159985019 @default.
• W2766265975 hasConcept C192562407 @default.
• W2766265975 hasConcept C196806460 @default.
• W2766265975 hasConcept C28413391 @default.
• W2766265975 hasConcept C49040817 @default.
• W2766265975 hasConcept C93877712 @default.
• W2766265975 hasConceptScore W2766265975C113843644 @default.
• W2766265975 hasConceptScore W2766265975C120665830 @default.
• W2766265975 hasConceptScore W2766265975C121332964 @default.
• W2766265975 hasConceptScore W2766265975C147080431 @default.
• W2766265975 hasConceptScore W2766265975C159985019 @default.
• W2766265975 hasConceptScore W2766265975C192562407 @default.
• W2766265975 hasConceptScore W2766265975C196806460 @default.
• W2766265975 hasConceptScore W2766265975C28413391 @default.
• W2766265975 hasConceptScore W2766265975C49040817 @default.
• W2766265975 hasConceptScore W2766265975C93877712 @default.
• W2766265975 hasIssue "11" @default.
• W2766265975 hasLocation W27662659751 @default.
• W2766265975 hasOpenAccess W2766265975 @default.
• W2766265975 hasPrimaryLocation W27662659751 @default.
• W2766265975 hasRelatedWork W1988977032 @default.
• W2766265975 hasRelatedWork W1993889649 @default.
• W2766265975 hasRelatedWork W2072424450 @default.
• W2766265975 hasRelatedWork W2121524308 @default.
• W2766265975 hasRelatedWork W2292675962 @default.
• W2766265975 hasRelatedWork W2400416496 @default.
• W2766265975 hasRelatedWork W2460230608 @default.
• W2766265975 hasRelatedWork W2902546961 @default.
• W2766265975 hasRelatedWork W3127524829 @default.
• W2766265975 hasRelatedWork W4242312542 @default.
• W2766265975 hasVolume "56" @default.
• W2766265975 isParatext "false" @default.

• next