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- W2774760251 abstract "Dans le domaine de la microelectronique de puissance hyperfrequence, le materiau a grand gap GaN constitue une alternative particulierement interessante grâce a ses proprietes physiques. Il permet de fabriquer des composants de type High Electron Mobility Transistors (HEMT) fonctionnant a haute frequence grâce a de bonnes proprietes de transport electronique et une tension de claquage elevee. Cet article decrit les specificites du semiconducteur et des heterostructures associees, notamment les polarisations spontanee et piezoelectrique ainsi que les methodes de croissance utilisees, epitaxie en phase vapeur aux organometalliques ou sous jets moleculaires, et les problemes lies au substrat d’accueil (SiC ou Si)." @default.
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