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• W2788004787 abstract "La loi de Moore est basee sur l’observation empirique qu’environ chaque deux annees, le nombre de transistors dans des circuits denses integrees double. Cette tendance s'est bien maintenue au cours des dernieres decennies (annees 1970 et suivantes). Cependant, la miniaturisation continue des transistors entraine une augmentation significative des pertes d’energie par le courant de fuite, ce qui augmente la consommation d'energie de veille. Cette perte d’energie est devenue un probleme majeur dans la microelectronique pendant les dernieres annees, ce qui rend plus difficile le developpement des nouvelles technologies. L’une des solutions est de placer des elements memoire non-volatile dans le puce, qui retiennent la configuration du transistor pendant la mise hors tension et permettent de le restaurer a la mise sous tension. Les Magnetic Random Access Memories (MRAM) sont considerees par l'ITRS comme un candidat credible pour le remplacement potentiel de SRAM et de DRAM au-dela du nœud technologique de 20 nm. Bien que les exigences de base pour la lecture et l'ecriture d'un element de memoire unique sont remplies, l'approche actuelle basee sur Spin Torque Transfer (STT) souffre d'un manque inne de la flexibilite. Le courant electrique entraine le retournement de l’aimantation de la couche ferromagnetique libre par le transfert du moment angulaire d’une couche ferromagnetique adjacent. Ainsi les elements de memoire basees sur STT ont deux terminaux dont les voies de courant pour « ecriture » et « lecture » sont definies par la forme de «pillar». L’optimisation independant des parametres d’ecriture et de lecture reste, donc, tres difficile. Au meme temps, la densite de courant trop haute, necessaire pour ecrire, conduit a la vieillissement premature du jonction tunnel. En consequence, l’integration MRAM dans la technologie du semi-conducteur reste, donc, difficile.Demonstrations recentes de reversement d’aimantation entrainees par l’injection d’un courant planaire dans des heterostructures metal lourd/ferromagnet ont attire l’attention croissante sur les couples de spin base sur le transfert du moment angulaire par l’effet Hall de spin et les effets d’interface. Contrairement a STT-MRAM, la SOT-MRAM a trois terminaux, dont les voies de courant pour « ecriture » et « lecture » sont independantes. Cela permet d’ameliorer les parametres « ecriture » et « lecture » de maniere independante. Pour controler et optimiser les SOT il est necessaire de comprendre tres bien leur origine. Cela reste l’une des plus importantes questions dont on n’a pas une reponse definitive. Dans ce contexte, plusieurs etudes ont conclu sur un modele base seulement sur l’effet Hall de spin, en meme temps que d’autres ont suggere un modele base sur une contribution combine de l’effet Hall de spin et l’effet d’interface.L’objectif de cette these est de realiser une etude systematique sur les effets d’interface sur les SOT dans des heterostructures metal lourde/ferromagnet a base de Pt, avec aimantation planaire.Dans ce but, cette these explore trois voies differentes. Premierement nous avons modifie le rapport entre les effets d’interface et les effets bulk en changeant l’epaisseur de la couche de Pt et en suivant l’evolution des SOT. En deuxieme nous avons explore des differents empilements metal lourde/ferromagnet afin d’etudier differentes interfaces. Finalement, nous avons change les proprietes des interfaces soit par changer la structure cristalline soit par oxydation. La technique de mesure, la methode d’analyse de donnees associe et les aspects theoriques necessaires pour l’interpretation des donnees sont aussi detailles dans ce manuscrit." @default.
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