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- W2943076128 abstract "Le nitrure de gallium, GaN, semi-conducteur a large gap (3.4 eV), est un compose qui presente des proprietes tres attractives pour des applications en opto- et micro-electronique. L'amelioration des performances des dispositifs passe par l'amelioration des proprietes des films de GaN. C'est pourquoi l'obtention de monocristaux massifs de GaN, susceptibles de servir de substrats pour l'homoepitaxie de films de GaN, represente un enjeu considerable. L'objectif de ce travail de these etait de transposer le procede de croissance hydrothermale du quartz-α au compose GaN afin de faire croitre des monocristaux de GaN. Dans une premiere etape, un procede de synthese de GaN finement divise a ete mis au point. La synthese solvothermale de microcristaux de GaN a ete realisee par traitement d'un melange reactionnel gallium/additif sous pression d'ammoniac. Ce materiau etait destine a servir de corps mere pour la croissance de monocristaux de GaN par un procede de dissolution-transport-cristallisation. Dans une seconde etape, la solubilite du GaN ainsi obtenu a ete evaluee dans le solvant ammoniac. Il s'est avere qu'en raison de la forte covalence de la liaison Ga-N, ce compose n'a pu etre solubilise. En consequence, le remplacement de GaN par un corps mere plus ionique et donc susceptible de se solubiliser plus facilement a ete envisage. Le compose Li3GaN2 a donc ete synthetise dans ce but. Enfin, la derniere partie presente les premiers travaux realises sur la solubilite de Li3GaN2 qui ont montre que ce compose etait soluble dans l'ammoniac. En outre, la faisabilite du transport d'une espece contenant du gallium du corps mere vers des germes a ete abordee. Dans le futur, Li3GaN2 pourrait donc servir de corps mere pour la croissance de monocristaux de GaN." @default.
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