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• W3137200411 abstract "Experiments on nGepGaAs heterojunctions are presented which show that the previous diffusion or emission theories of current transport do not satisfactorily explain the observed electrical characteristics. These measurements indicate, however, that the basic Anderson model for abrupt heterojunctions is valid. Tunnelling is considered as an alternate transport mechanism. A recombination tunnelling model in the forward direction and a Zener tunnelling model in the reverse direction are proposed to describe the functional behaviour of the current as a function of voltage and temperature. On présente des expériences faites sur des hétérojonctions en nGepGaAs qui démontrent que les précédentes théories de diffusion et d'émission de transport de courant n'expliquent pas les caractéristiques électriques d'une manière satisfaisante. Ces mesures indiquent, toutefois, que le modèle fondamental Anderson des hétérojonctions abruptes est valable. Le tunnellement est considéré comme un mécanisme de transport alternatif. Un modèle de recombinaison de tunnellement dans la direction directe et un modèle de tunnellement Zener dans la direction inverse sont proposés pour décrire le comportement fonctionnel du courant en fonction de la tension et de la température. Experimente an nGepGaAs-Heterbergängen zeigen, dass die früheren Diffusions- oder Emissionstheorien für den Stromtransport das elektrische Verhalten nicht in befriedigender Weise zu erklären vermögen. Die Messungen lassen jedoch erkennen, dass das Andersonmodell für abrupte Übergänge gültig ist. Andererseits wird der Tunneleffekt als Transport-mechanismus betrachtet. Ein Rekombinationstunnelmodell in Vorwärtsrichtung und ein Zener-tunnelmodell in Rückwärtsrichtung werden vorgeschlagen, um den Strom als Funktion von Spannung und Temperatur zu beschreiben." @default.
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