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- W3201890295 abstract "Nous avons prepare des couches minces de silicium microcristallin par glow-discharge, jusqu'a 300°C en jouant sur les parametres de preparation flux et puissance HF. Nous avons alors etudie l'influence des parametres de preparation sur la physicochimie et les proprietes electroniques du materiau. Les mesures de diffraction X ont donne, pour les films microcristallins, un diametre constant autour de 100 A°, independamment de l'hydrogene incorpore (evalue par reaction nucleaire) ou de la fraction cristalline (evaluee par diffusion Raman). La cristallisation s'accompagne d'une perte d'hydrogene, la concentration d'hydrogene diminuant avec la temperature de depot. Il y a, dans le microcristal, une partie des sites de l'hydrogene existant dans l'amorphe avec seulement un leger decalage en frequence de vibration IR. On a montre au niveau electronique que l'absorption optique et la conductivite electrique avaient les memes profils pour les echantillons microcristallins que pour les echantillons amorphes, quand les couches etaient preparees au-dessous de 400°C.L'ensemble des resultats est interprete par l'existence d'heterogeneites a moyennes distances dans l'amorphe (ilots peu hydrogenes dans un tissu plus desordonne et plus hydrogene) et dans le microcristal (cristallite ordonnee et joint de grain desordonne et hydrogene)" @default.
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