Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W3204235146> ?p ?o ?g. }
Showing items 1 to 25 of
25
with 100 items per page.
- W3204235146 endingPage "22" @default.
- W3204235146 startingPage "22" @default.
- W3204235146 abstract "В современной оптоэлектронике доминирует эпитаксиальный рост планарных полупроводниковых кристаллов и наноструктур в сочетании с фотолитографией. Этот принцип используется при производстве светодиодов, полупроводниковых лазеров, солнечных элементов и фотодетекторов типа ПЗС-матриц в видео- и фотокамерах. В то же время коллоидные наноструктуры, получаемые без применения эпитаксии и вакуумного осаждения, проявляют квантовые размерные эффекты, позволяющие изменять их оптические свойства, которые можно использовать в различных оптоэлектронных устройствах. Коллоидный синтез нанокристаллов полупроводников («квантовые точrи» и нанопластинки), металлов (наноплазмоника) и диэлектриков, структур «ядро-оболочка», а также плотных ансамблей нанокристаллов позволяет создавать различные устройства, при изготовлении которых вакуумное напыление используется только для создания контактов, а эпитаксиальный рост не используется вовсе. Ниже перечислены основные элементы оптоэлектроники и состояние их реализации на основе коллоидных технологий: - оптические фильтры (уже применяются); - лазерные затворы для получения нано- и пикосекундных импульсов в твердотельных лазерах (реализованы для целого ряда лазеров); - люминофоры, включая биометки, преобразователи спектра для белых светодиодов, спектральные конверторы лазерного излучения (начато применение в телевизорах и компьютерных дисплеях, в дисплеях ай-падов и мобильных телефонов); - светодиоды (продемонстрирована принципиальная возможность); - лазеры с оптической накачкой (продемонстрирована принципиальная возможность); - электрооптические модуляторы (на стадии лабораторных исследований); - солнечные элементы (на стадии лабораторных исследований). - фототранзисторы (на стадии лабораторных исследований). Анализ состояния исследований в этой области позволяет говорить о рождении новой технологической платформы в оптоэлектронике, которая сможет в отдельных приложениях замещать традиционные эпитаксиальные технологии." @default.
- W3204235146 created "2021-10-11" @default.
- W3204235146 creator A5014907331 @default.
- W3204235146 date "2021-09-27" @default.
- W3204235146 modified "2023-09-24" @default.
- W3204235146 title "Перспективы коллоидной оптоэлектроники" @default.
- W3204235146 doi "https://doi.org/10.34077/rcsp2021-22" @default.
- W3204235146 hasPublicationYear "2021" @default.
- W3204235146 type Work @default.
- W3204235146 sameAs 3204235146 @default.
- W3204235146 citedByCount "0" @default.
- W3204235146 crossrefType "journal-article" @default.
- W3204235146 hasAuthorship W3204235146A5014907331 @default.
- W3204235146 hasBestOaLocation W32042351461 @default.
- W3204235146 hasConcept C39432304 @default.
- W3204235146 hasConceptScore W3204235146C39432304 @default.
- W3204235146 hasLocation W32042351461 @default.
- W3204235146 hasOpenAccess W3204235146 @default.
- W3204235146 hasPrimaryLocation W32042351461 @default.
- W3204235146 isParatext "false" @default.
- W3204235146 isRetracted "false" @default.
- W3204235146 magId "3204235146" @default.
- W3204235146 workType "article" @default.