FRINK Linked Data Fragments server

Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W4243997036> ?p ?o ?g. }

• W4243997036 endingPage "418" @default.
• W4243997036 startingPage "418" @default.
• W4243997036 abstract "Переход к оптическим межсоединениям в высокопроизводительных процессорах может быть осуществлен с использованием гибридных А3В5 гетеролазеров, совместимых с современной кремниевой КМОП технологией. Существующие технологии изготовления кремниевых процессоров развиты для точно ориентированных подложек Si (001) с отклонением, не превышающим 0.5°. Поэтому для интеграции А3В5 лазеров с кремниевым резонатором на чипе предпочтительным является использование точно ориентированных подложек Si (001). К настоящему времени в мире наметились успехи на этом пути: были созданы гибридные полупроводниковые лазеры ближнего ИК диапазона на кремниевых подложках с характеристиками, почти не отличающимися от лазеров на GaAs подложке. Главными причинами успеха стали использование в качестве активной среды квантовых точек (КТ), т.к. они наименее чувствительны к дефектам, возникающим при росте полупроводников А3В5 на кремниевой подложке, и использование специальных приемов снижения количества прорастающих дефектов в активную область структуры. В докладе дан обзор достигнутых успехов в мире в этой области. Приведены примеры первых использований оптических соединений в процессорах. Обсуждаются разработанные подходы для уменьшения количества прорастающих дефектов. Имеющиеся гибридные лазеры с КТ практически всегда были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), что сдерживает их практическое применение. Кроме того, гибридные лазеры на квантовых точках, как правило, работают в диапазоне длин волн 1.3 мкм. А существующая КМОП технология Si/Ge структур позволяет создавать эффективные приемники и модуляторы света в диапазоне длин волн 1.18 мкм [1]. В докладе проведен обзор исследований нашей группы, которые направлены на рост методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОГФЭ), используемым в промышленности, лазерных структур GaAs/AlAs с квантовыми ямами InGaAs на Si подложках с релаксированным Ge буфером [2]. Было изучено влияние отклонения подложки от направления (001), толщины Ge буфера, использование буфера, состоящего из чередующихся слоев AlAs и GaAs, на структурные и оптические свойства исследуемых структур. Для этого диапазона на подложках Si (100) были изготовлены инжекционные полосковые лазеры с электрической накачкой. Пороговая плотность тока при комнатной температуре для лазера на длину волны 0.99 мкм составляла 5.5 кА/см2 [3], а для длины волны 1.11 мкм - 20 кА/см2 [4]. Приводятся результаты применения компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1.1 мкм [5]." @default.
• W4243997036 created "2022-05-12" @default.
• W4243997036 date "2019-08-20" @default.
• W4243997036 modified "2023-09-30" @default.
• W4243997036 title "Гибридные полупроводниковые лазеры ближнего ИК диапазона на кремниевых подложках / Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Фефелов А.Г." @default.
• W4243997036 cites W2220870060 @default.
• W4243997036 cites W2514551302 @default.
• W4243997036 cites W2885103050 @default.
• W4243997036 doi "https://doi.org/10.34077/semicond2019-418" @default.
• W4243997036 hasPublicationYear "2019" @default.
• W4243997036 type Work @default.
• W4243997036 citedByCount "0" @default.
• W4243997036 crossrefType "journal-article" @default.
• W4243997036 hasBestOaLocation W42439970361 @default.
• W4243997036 hasConcept C192562407 @default.
• W4243997036 hasConcept C49040817 @default.
• W4243997036 hasConcept C510052550 @default.
• W4243997036 hasConceptScore W4243997036C192562407 @default.
• W4243997036 hasConceptScore W4243997036C49040817 @default.
• W4243997036 hasConceptScore W4243997036C510052550 @default.
• W4243997036 hasLocation W42439970361 @default.
• W4243997036 hasOpenAccess W4243997036 @default.
• W4243997036 hasPrimaryLocation W42439970361 @default.
• W4243997036 hasRelatedWork W13822111 @default.
• W4243997036 hasRelatedWork W14384868 @default.
• W4243997036 hasRelatedWork W15630283 @default.
• W4243997036 hasRelatedWork W15836426 @default.
• W4243997036 hasRelatedWork W33222793 @default.
• W4243997036 hasRelatedWork W51048646 @default.
• W4243997036 hasRelatedWork W53810107 @default.
• W4243997036 hasRelatedWork W54399498 @default.
• W4243997036 hasRelatedWork W57105257 @default.
• W4243997036 hasRelatedWork W8540827 @default.
• W4243997036 isParatext "false" @default.
• W4243997036 isRetracted "false" @default.
• W4243997036 workType "article" @default.