Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W4245253314> ?p ?o ?g. }
Showing items 1 to 34 of
34
with 100 items per page.
- W4245253314 endingPage "89" @default.
- W4245253314 startingPage "89" @default.
- W4245253314 abstract "Представленная работа посвящена исследованию структурных свойств поверхности эпитаксиальных слоев Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в режиме роста step-flow. Методом сканирующей туннельной микроскопии изучено строение поверхности слоев Si, выращенных на Si(001) с углами наклона от 0.12° до 0.9° в направлении [110]. Установлено, что по-мере увеличения угла наклона поверхности подложки Si(001) на поверхности эпитаксиального слоя Si наблюдается переход от структуры с преобладающими Tb террасами к структуре с равными по ширине террасами [1]. Методом Монте-Карло проведено моделирование процесса роста. Модель основана на допущении о влиянии полей упругих напряжений, возникающих на поверхности Si(001) [2], на проницаемость моноатомных ступеней. Проницаемость ступени определяет возможность перехода атома через край ступени без встраивания в нее. В равновесных условиях релаксация полей упругих напряжений способствует формированию на поверхности террас равной ширины. Известно, что поверхность Si(001) сформирована моноатомными ступенями двух типов: Sa и Sb [1]. Строение, энергии образования этих ступеней различны, что приводит к разной скорости их продвижения во время роста [3,4] и должно бы было способствовать формированию двухатомных ступеней типа Db. Согласно экспериментальным данным формирование ступеней типа Db наблюдается при больших значениях углов разориентации Si(001) [5]. В исследуемом диапазоне углов наклона ростовая поверхность образована моноатомными ступенями. В условиях роста стабильная структура ростовой поверхности (постоянная ширина террас) поддерживается за счет одинаковой скорости продвижения моноатомных ступеней Sa и Sb типа. В модели предполагается, что влияние полей упругих напряжений на ширину моноатомных террас зависит от угла наклона поверхности Si(001). Чем он меньше, тем более вероятным становится процесс формирования террас разной ширины. Равная скорость продвижения соседних моноатомных ступеней поддерживается изменением их проницаемости в зависимости от расстояния между ними. Результаты моделирования подтверждаются данными СТМ исследования. Исследуемые образцы выращивались методом МЛЭ на установке Riber EVA 32 при температуре 650°С в режиме роста step-flow. СТМ исследования проводились при помощи микроскопа GPI-300, присоединенного к ростовой камере через высоковакуумный шибер. В ходе исследования образцы на воздух не выносились." @default.
- W4245253314 created "2022-05-12" @default.
- W4245253314 date "2019-08-20" @default.
- W4245253314 modified "2023-10-18" @default.
- W4245253314 title "Моделирование методом Монте-Карло структуры поверхности эпитаксиального слоя Si, выращенного в условиях МЛЭ / Арапкина Л.В." @default.
- W4245253314 cites W2003534154 @default.
- W4245253314 cites W2025388210 @default.
- W4245253314 cites W2080291268 @default.
- W4245253314 cites W2098711598 @default.
- W4245253314 doi "https://doi.org/10.34077/semicond2019-89" @default.
- W4245253314 hasPublicationYear "2019" @default.
- W4245253314 type Work @default.
- W4245253314 citedByCount "0" @default.
- W4245253314 crossrefType "journal-article" @default.
- W4245253314 hasConcept C192562407 @default.
- W4245253314 hasConceptScore W4245253314C192562407 @default.
- W4245253314 hasLocation W42452533141 @default.
- W4245253314 hasOpenAccess W4245253314 @default.
- W4245253314 hasPrimaryLocation W42452533141 @default.
- W4245253314 hasRelatedWork W11168706 @default.
- W4245253314 hasRelatedWork W12064936 @default.
- W4245253314 hasRelatedWork W17741277 @default.
- W4245253314 hasRelatedWork W31503462 @default.
- W4245253314 hasRelatedWork W41999275 @default.
- W4245253314 hasRelatedWork W44313619 @default.
- W4245253314 hasRelatedWork W46821495 @default.
- W4245253314 hasRelatedWork W47660773 @default.
- W4245253314 hasRelatedWork W48084317 @default.
- W4245253314 hasRelatedWork W58962205 @default.
- W4245253314 isParatext "false" @default.
- W4245253314 isRetracted "false" @default.
- W4245253314 workType "article" @default.