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Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W4247331185> ?p ?o ?g. }

• W4247331185 endingPage "79" @default.
• W4247331185 startingPage "59" @default.
• W4247331185 abstract "The a.c. behavior of a semiconductor-insulator-metal capacitor is analyzed as a function of the frequency of a small a.c. voltage and of a d.c. bias voltage. Our analysis differs from previous work by Garrett, Berz and Yunovich, respectively, which dealt mainly with field effect conductivity, in the following respects: Both (I), the extreme case of negligible recombination rate in the space-charge layer, and (II) the opposite extreme case of infinite recombination rate in the space-charge layer, are treated. Deviations from the Boltzmann distributions of carriers in the space-charge layer at current flow are taken into account. Equivalent circuits are derived from which the frequency dependence and the loss angle can be more readily appreciated than from the involved analytic expressions for the impedance. Graphs are provided for the determination of the impedance as function of bias, frequency and of resistivity of the semiconductor for a semiconductor free of surface states. Le comportement à courant alternatif d'un condensateur semiconducteur-isolant-métal est analysé en fonction de la fréquence d'une petite tension à courant alternatif et d'une polarisation à courant continu. Cette analyse diffère des travaux précédents de Garrett, Berz et Yunovich respectivement qui considéraient la conductivité à effet de champ dans les aspects suivants: Les deux cas, (I) le cas extrême d'un taux de recombinaison négligeable dans la couche de charge d'espace et (II) le cas opposé extrême comprenant un taux de recombinaison infini dans la couche de charge d'espace sont traités. Les déviations des distributions Boltzmann de porteurs dans la couche de charge d'espace au courant sont prises en considération. Des circuits équivalents sont dérivés dans lesquels la dépendance de fréquence et l'angle de perte peuvent être plus facilement compris que dans les expressions analytiques compliquées de l'impédance. Des graphiques sont fournis pour déterminer l'impédance d'un semiconducteur exempt d'états de surface en fonction de la polarisation, de la fréquence et de la résistivité du semiconducteur. Das Verhalten einer Halbleiter-Isolator-Metall-Kapazität bei Wechselstrom wird als Funktion einer kleinen Wechselspannung und einer Gleichstrom-Vorspannung untersucht. Die vorliegende Untersuchung unterscheidet sich von der Arbeit von Garrett, Berz und Yunovich, die hauptsächlich Feldeffekt-Leitfähigkeit behandeln, in folgenden Punkten: Sowohl der äusserste Fall einer vernachlässigbaren Rekombinationsrate in der Raumladungsschicht (I) und der entgegengesetzte äusserste Fall einer unendlichen Rekombinationsrate in der Raumladungsschicht (II) werden behandelt. Abweichungen von der Boltzmannverteilung der Träger in der Raumladungsschicht bei Stromfluss werden berücksichtigt. Durch Ableitung von Ersatzschaltbildern lassen sich Frequenzabhängigkeit und Verlustwinkel leichter feststellen als aus den komplizierten analytischen Impedanzausdrücken. Die Abhängigkeit der Impedanz von Vorspannung, Frequenz und spezifischem Widerstand des Halbleiters wird für einen Halbleiter ohne Oberflächenzustände durch Kurven dargestellt." @default.
• W4247331185 created "2022-05-12" @default.
• W4247331185 creator A5046515133 @default.
• W4247331185 creator A5055753393 @default.
• W4247331185 date "1964-01-01" @default.
• W4247331185 modified "2023-10-03" @default.
• W4247331185 title "Impedance of semiconductor-insulator-metal capacitors" @default.
• W4247331185 cites W1968051875 @default.
• W4247331185 cites W1972642878 @default.
• W4247331185 cites W1973894491 @default.
• W4247331185 cites W1995662596 @default.
• W4247331185 cites W2002765787 @default.
• W4247331185 cites W2014577541 @default.
• W4247331185 cites W2039730104 @default.
• W4247331185 cites W2049506024 @default.
• W4247331185 cites W2055309078 @default.
• W4247331185 cites W2099829737 @default.
• W4247331185 cites W2126489206 @default.
• W4247331185 doi "https://doi.org/10.1016/0038-1101(64)90122-4" @default.
• W4247331185 hasPublicationYear "1964" @default.
• W4247331185 type Work @default.
• W4247331185 citedByCount "102" @default.
• W4247331185 countsByYear W42473311852012 @default.
• W4247331185 countsByYear W42473311852014 @default.
• W4247331185 countsByYear W42473311852015 @default.
• W4247331185 countsByYear W42473311852016 @default.
• W4247331185 countsByYear W42473311852017 @default.
• W4247331185 countsByYear W42473311852018 @default.
• W4247331185 countsByYear W42473311852019 @default.
• W4247331185 countsByYear W42473311852020 @default.
• W4247331185 countsByYear W42473311852021 @default.
• W4247331185 countsByYear W42473311852023 @default.
• W4247331185 crossrefType "journal-article" @default.
• W4247331185 hasAuthorship W4247331185A5046515133 @default.
• W4247331185 hasAuthorship W4247331185A5055753393 @default.
• W4247331185 hasConcept C103132145 @default.
• W4247331185 hasConcept C108225325 @default.
• W4247331185 hasConcept C121332964 @default.
• W4247331185 hasConcept C147120987 @default.
• W4247331185 hasConcept C17829176 @default.
• W4247331185 hasConcept C26873012 @default.
• W4247331185 hasConcept C62520636 @default.
• W4247331185 hasConcept C98446981 @default.
• W4247331185 hasConceptScore W4247331185C103132145 @default.
• W4247331185 hasConceptScore W4247331185C108225325 @default.
• W4247331185 hasConceptScore W4247331185C121332964 @default.
• W4247331185 hasConceptScore W4247331185C147120987 @default.
• W4247331185 hasConceptScore W4247331185C17829176 @default.
• W4247331185 hasConceptScore W4247331185C26873012 @default.
• W4247331185 hasConceptScore W4247331185C62520636 @default.
• W4247331185 hasConceptScore W4247331185C98446981 @default.
• W4247331185 hasIssue "1" @default.
• W4247331185 hasLocation W42473311851 @default.
• W4247331185 hasOpenAccess W4247331185 @default.
• W4247331185 hasPrimaryLocation W42473311851 @default.
• W4247331185 hasRelatedWork W1970001579 @default.
• W4247331185 hasRelatedWork W2029897356 @default.
• W4247331185 hasRelatedWork W2032706695 @default.
• W4247331185 hasRelatedWork W2056620226 @default.
• W4247331185 hasRelatedWork W2057968788 @default.
• W4247331185 hasRelatedWork W2059674540 @default.
• W4247331185 hasRelatedWork W2091294622 @default.
• W4247331185 hasRelatedWork W2123850858 @default.
• W4247331185 hasRelatedWork W4239732463 @default.
• W4247331185 hasRelatedWork W4242189880 @default.
• W4247331185 hasVolume "7" @default.
• W4247331185 isParatext "false" @default.
• W4247331185 isRetracted "false" @default.
• W4247331185 workType "article" @default.