Matches in SemOpenAlex for { <https://semopenalex.org/work/W4249201321> ?p ?o ?g. }
Showing items 1 to 31 of
31
with 100 items per page.
- W4249201321 endingPage "364" @default.
- W4249201321 startingPage "364" @default.
- W4249201321 abstract "Вслед за работами [1,2], в которых была обнаружена гигантская микроволновая и терагерцовая фотопроводимость туннельного точечного контакта (ТТК) в двумерном электронном газе (ДЭГ), мы на тех же образцах при 4.2 K нашли гигантскую фотопроводимость для гораздо меньших частот f~1 ГГц. СВЧ поле подводилось к образцу по центральной жиле коаксиального кабеля, экран которого был заземлен вместе с одним из токовых контактов к ДЭГ. Измеренные затворные характеристики ТТК показали сильный рост его кондактанса G по мере уменьшения коэффициента ослабления подаваемой СВЧ мощности P в децибелах. Отчасти рост G вызван сдвигом кривых G(Vg) с увеличением P, что наблюдалось и при f≈150 ГГц [1]. Возможной причиной сдвига является выпрямление СВЧ напряжения, которое понижает высоту барьера в ТТК, но обнаруженное поведение сложнее, чем для статического барьера V(P)/ch2(x/W) [3]. Так, на зависимостях G(Vg) обнаружен необычный излом при G≈0.03·2e2/h, который размывается с ростом P. Вероятно, реальный барьер имеет широкое основание и узкую макушку. При высоких P видны частые ступеньки выше и ниже G=e2/h. Заметим, что теория фотон-ассистированного прохождения электрона через барьер [V+A·cos(ωt)]/ch2(x/W) и формула Ландауэра G=D·2e2/h, где D –коэффициент прохождения, были использованы для моделирования микроволновой и терагерцовой фотопроводимости таких ТТК в ДЭГ c энергией Ферми EF≈27 мэВ [2,3]. При этом найдены параметры барьера V≈30 мэВ, W ≈100 нм, A<6 мэВ. Если f < 24 ГГц, то такой барьер не успевает измениться за время туннелирования электрона τ = πW(m*/2V)1/2, но зависимость коэффициента прохождения D от энергии необходимо усреднить по периоду колебаний. Это дает гигантское увеличение D с ростом A и появляются ступени на зависимости D(E), отвечающие условию V-E ≈A [4]. В контрасте все расчетные кривые D(E) проходят через общую точку D=0.5, поскольку в модели фиксирована средняя высота барьера V=30 мэВ, по аналогии с [2]." @default.
- W4249201321 created "2022-05-12" @default.
- W4249201321 date "2019-08-20" @default.
- W4249201321 modified "2023-09-26" @default.
- W4249201321 title "Влияние СВЧ поля на туннельный точечный контакт в двумерном электронном газе / Ярошевич А.С., Квон З.Д., Ткаченко О.A., Ткаченко В.А., Родякина E.E., Латышев А.В." @default.
- W4249201321 doi "https://doi.org/10.34077/semicond2019-364" @default.
- W4249201321 hasPublicationYear "2019" @default.
- W4249201321 type Work @default.
- W4249201321 citedByCount "0" @default.
- W4249201321 crossrefType "journal-article" @default.
- W4249201321 hasBestOaLocation W42492013211 @default.
- W4249201321 hasConcept C121332964 @default.
- W4249201321 hasConceptScore W4249201321C121332964 @default.
- W4249201321 hasLocation W42492013211 @default.
- W4249201321 hasOpenAccess W4249201321 @default.
- W4249201321 hasPrimaryLocation W42492013211 @default.
- W4249201321 hasRelatedWork W1536502753 @default.
- W4249201321 hasRelatedWork W2902782467 @default.
- W4249201321 hasRelatedWork W2935759653 @default.
- W4249201321 hasRelatedWork W3105167352 @default.
- W4249201321 hasRelatedWork W3148032049 @default.
- W4249201321 hasRelatedWork W54078636 @default.
- W4249201321 hasRelatedWork W1501425562 @default.
- W4249201321 hasRelatedWork W2298861036 @default.
- W4249201321 hasRelatedWork W2954470139 @default.
- W4249201321 hasRelatedWork W3084825885 @default.
- W4249201321 isParatext "false" @default.
- W4249201321 isRetracted "false" @default.
- W4249201321 workType "article" @default.